XPC823ZT66B2是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn)。該器件主要�(yīng)用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等領(lǐng)域。其封裝形式為TO-252(DPAK),能夠提供出色的散熱性能以滿足大電流�(yīng)用需��
這款功率MOSFET具備增強(qiáng)型結(jié)�(gòu),支持邏輯電平驅(qū)�(dòng),使得其能夠在較低的柵極�(qū)�(dòng)電壓下正常工作,從而非常適合便攜式�(shè)備和其他低壓系統(tǒng)中的高效能轉(zhuǎn)換電��
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓Vds�40V
最大柵源電壓Vgs:�20V
連續(xù)漏極電流Id�17A(在25°C�
�(dǎo)通電阻Rds(on)�6.5mΩ(在Vgs=10V�(shí)�
柵極電荷Qg�32nC
總電容Ciss�2250pF
功耗Pd�120W(在指定散熱條件下)
工作溫度范圍�-55°C�+175°C
XPC823ZT66B2的主要特�(diǎn)是其低導(dǎo)通電�,這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率。同�(shí),它具有�??斓拈_�(guān)速度,可以降低開�(guān)損�,適用于高頻開關(guān)�(yīng)用�
此外,該器件支持邏輯電平�(qū)�(dòng),使它能夠直接與�(biāo)�(zhǔn)CMOS或LSTTL輸出接口配合使用,無需額外的驅(qū)�(dòng)電路。它的封裝形式也保證了良好的散熱性能,從而增�(qiáng)了可靠性�
由于采用了先�(jìn)的屏蔽柵極技�(shù),XPC823ZT66B2還表�(xiàn)出優(yōu)異的抗雪崩能力和熱穩(wěn)定性,這些特性使其成為工�(yè)和汽車領(lǐng)域中高要求應(yīng)用的理想選擇�
XPC823ZT66B2廣泛用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場�,包括但不限于:
- 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流
- DC-DC�(zhuǎn)換器的主開關(guān)或同步整流開�(guān)
- 電池保護(hù)和充電管理電�
- 電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器模�
- 各種�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路
其低�(dǎo)通電阻和高效率特�(diǎn)使其特別適合于筆記本電腦適配�、服�(wù)器電源以及電�(dòng)工具等產(chǎn)品中�
XPC823ZT66B3
XPC823ZT66B1
IRLR7843
SI4479DY