�(chǎn)品型�(hào) | XC4VFX100-10FFG1152I |
描述 | IC FPGA 576 I/O 1152FCBGA |
分類(lèi) | 集成電路(IC),嵌入式FPGA(�(xiàn)�(chǎng)可編程門(mén)陣列) |
生產(chǎn)廠家 | Xilinx公司 |
系列 | Virtex?-4 FX |
部分狀�(tài) | 活� |
電壓-電源 | 1.14V~1.26V |
工作溫度 | -40°C~100°C(TJ) |
�/� | 1152-BBGA,F(xiàn)CBGA |
供應(yīng)商設(shè)備包 | 1152-FCBGA(35x35) |
基礎(chǔ)部件�(hào) | XC4VFX100 |
XC4VFX100-10FFG1152I
可編程邏輯類(lèi)� | �(xiàn)�(chǎng)可編程門(mén)陣列 |
符合REACH�(biāo)�(zhǔn) | � |
符合歐盟RoHS�(biāo)�(zhǔn) | � |
狀�(tài) | 活� |
�(shí)鐘頻�-最大� | 1028.0 MHz |
JESD-30代碼 | S-PBGA-B1152 |
JESD-609代碼 | E1 |
總RAM位數(shù) | 6930432 |
CLB�(shù)� | 10544.0 |
輸入�(shù)� | 576.0 |
邏輯單元的數(shù)� | 94896.0 |
輸出�(shù)� | 576.0 |
終端�(shù)� | 1152 |
組織 | 10544 CLBS |
峰值回流溫�(�) | 245 |
資格狀�(tài) | 不合� |
坐姿高度-最� | 3.4毫米 |
子類(lèi)� | �(xiàn)�(chǎng)可編程門(mén)陣列 |
電源電壓 | 1.2 V |
電源電壓-最小� | 1.14 V |
電源電壓-最大� | 1.26 V |
安裝�(lèi)� | 表面貼裝 |
技�(shù) | CMOS |
終端完成 | �/銀/�(Sn95.5Ag4.0Cu0.5) |
終端表格 | � |
終端間距 | 1.0毫米 |
終端位置 | 底部 |
�(shí)間@峰值回流溫�-最大�(s) | 三十 |
�(zhǎng)� | 35.0毫米 |
寬度 | 35.0毫米 |
包裝體材� | 塑料/�(huán)氧樹(shù)� |
包裹代碼 | BGA |
包等�(jià)代碼 | BGA1152,34X34,40 |
包裝形狀 | 廣場(chǎng) |
包裝�(fēng)� | �(wǎng)格陣� |
制造商包裝�(shuō)� | �(wú)�,F(xiàn)BGA-1152 |
�(wú)鉛狀�(tài)/RoHS狀�(tài) | �(wú)�/符合RoHS�(biāo)�(zhǔn) |
濕度敏感度等�(jí)(MSL) | 4(72小時(shí)) |
?適用于嵌入式平臺(tái)�(yīng)用的高性能,全功能解決方案
?Xesium?�(shí)鐘技�(shù)
。數(shù)字時(shí)鐘管理器(DCM)�
。附加的相位匹配�(shí)鐘分頻器(PMCD)
。差分全球時(shí)�
?XtremeDSP?切片
�18 x 18,二�(jìn)制補(bǔ)�,帶符號(hào)乘數(shù)
。可選的管道階段
。內(nèi)置累加器(48�)和加法器/減法�
?智能RAM�(nèi)存層次結(jié)�(gòu)
。分布式RAM
。雙端口18-Kbit RAM模塊·可選流水線級(jí)·可選的可編程FIFO邏輯自動(dòng)將RAM信號(hào)重新映射為FIFO信號(hào)
。高速存�(chǔ)器接口支持DDR和DDR-2 SDRAM,QDR-II和RLDRAM-II�
?SelectIO?技�(shù)
�1.5V�3.3VI / O操作
。內(nèi)置ChipSync?源同步技�(shù)
。數(shù)字控制阻�(DCI)有源終端
。精�(xì)的I / O銀行業(yè)�(wù)(在一家銀行配�)
?靈活的邏輯資�
?安全芯片AES比特流加�
?90 nm銅CMOS工藝
?1.2V核心電壓
?倒裝芯片封裝包括�(wú)鉛封裝選�
?RocketIO?622 Mb / s�6.5 Gb / s多千兆位收發(fā)�(MGT)[僅限FX]
?IBM PowerPC RISC處理器核心[僅限FX]
。PowerPC 405(PPC405)核心
。輔助處理器單元接口(用戶�(xié)處理�)
?多�(gè)三態(tài)以太�(wǎng)MAC [僅限FX]
XC4VFX100-10FFG1152I符號(hào)
XC4VFX100-10FFG1152I腳印