WSK25125L000FEK 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,專為高效率和高可靠性應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能。它廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器以及其他需要高效能功率轉(zhuǎn)換的領(lǐng)域。
這款芯片的主要特點(diǎn)是其優(yōu)化的 Rds(on)(導(dǎo)通電阻)和 Qg(柵極電荷),使得在高頻開(kāi)關(guān)條件下能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)效率。
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓 Vdss:125V
最大連續(xù)漏電流 Id:25A
導(dǎo)通電阻 Rds(on):4.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 時(shí))
柵極電荷 Qg:45nC
總電容 Ciss:2500pF
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
封裝形式:TO-247
WSK25125L000FEK 的主要特性包括以下幾點(diǎn):
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),確保在大電流應(yīng)用中減少功率損耗。
2. 快速開(kāi)關(guān)能力,適合高頻工作環(huán)境。
3. 高耐壓能力 (Vdss),能夠在高壓場(chǎng)景下穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),適用于高溫工業(yè)環(huán)境。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且無(wú)鉛。
6. 提供了優(yōu)異的 ESD 和雪崩保護(hù)功能,增強(qiáng)了整體可靠性。
WSK25125L000FEK 廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和伺服系統(tǒng)。
3. 太陽(yáng)能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)。
4. 電動(dòng)車牽引逆變器。
5. UPS 不間斷電源。
6. 各類工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
WSK25125L000FEL, WSK25125L000FEM