WSD4018DN22 是一款高性能� N 漚道 MOSFET 功率晶體�,廣泛應用于電源管理、電機驅(qū)動和開關電路�。該器件采用了先進的制造工�,具有低導通電阻和快速開關特�,適合高效率和高頻率的應用場��
WSD4018DN22 的封裝形式通常� SOT-23,這使其非常適合于空間受限的設計環(huán)�。此外,其低柵極電荷和低反向恢復電荷的特�,能夠顯著降低開關損�,提高整體系�(tǒng)效率�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�1.5A
導通電阻:22mΩ
柵極電荷�9nC
總電容:30pF
工作溫度范圍�-55� � +150�
WSD4018DN22 具有以下主要特性:
1. 超低導通電� (Rds(on)),在典型條件下僅� 22mΩ,可有效降低傳導損��
2. 快速開關性能,得益于其低柵極電荷和優(yōu)化的�(nèi)部結(jié)構�
3. 高可靠性設�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定性能�
4. 小型化封� (SOT-23),有助于減少 PCB 空間占用并簡化布局設計�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適用于各種現(xiàn)代電子產(chǎn)品�
WSD4018DN22 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源 (SMPS) 中的同步整流器和降壓/升壓�(zhuǎn)換器�
2. 電池保護電路和負載開關控制�
3. 電機�(qū)動中� H 橋和半橋配置�
4. 手機和平板電腦等便攜式設備中的電源管理模塊�
5. LED �(qū)動器和背光控��
由于其出色的效率和緊湊的封裝尺寸,WSD4018DN22 成為眾多小型化和高效率需求的理想選擇�
WSD4018DN22H, WSD4018DN22L