WPN252012H100MT 是一款高性能� N 沯道功率 MOSFET,采� TO-263 封裝形式。該器件適用于需要高效率、低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性的�(yīng)用場�。其典型�(yīng)用場景包括開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)動、負(fù)載切換以� DC-DC �(zhuǎn)換器�。該型號以其卓越的電氣性能和可靠性在工業(yè)和消�(fèi)電子�(lǐng)域中廣泛使用�
該功� MOSFET 的設(shè)計旨在降低系�(tǒng)功耗并提高整體效率,同時具備良好的熱特性和耐受性,適合于高溫環(huán)境下的運(yùn)�。由于其封裝形式便于散熱和焊�,因此也常用于高功率密度的設(shè)��
型號:WPN252012H100MT
類型:N 溝道功率 MOSFET
VDS(漏源極電壓):200V
RDS(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�1.2Ω
ID(連續(xù)漏極電流):4.9A
VGSS(柵源極電壓范圍):-20V � +20V
封裝形式:TO-263
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
WPN252012H100MT 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 高耐壓能力:支持高�(dá) 200V 的漏源極電壓,使其適用于高壓電路�
2. 低導(dǎo)通電阻:RDS(on) 典型值為 1.2Ω,在高電流應(yīng)用中減少了導(dǎo)通損��
3. 快速開�(guān)速度:優(yōu)化的柵極電荷�(shè)計確保了較快的開�(guān)速度,從而降低開�(guān)損��
4. �(qiáng)大的電流處理能力:連續(xù)漏極電流高達(dá) 4.9A,滿足高功率需求�
5. 寬工作溫度范圍:� -55°C � +175°C 的工作溫度范圍增�(qiáng)了其在極端條件下的適用��
6. �(wěn)定的電氣性能:具有較高的擊穿電壓和較低的閾值電壓漂�,保證了長期使用的可靠性�
7. 散熱性能�(yōu)良:TO-263 封裝提供了良好的散熱路徑,有助于維持�(wěn)定的�(yùn)行狀�(tài)�
WPN252012H100MT 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS)�
- AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流
- 電源管理模塊
2. 電機(jī)�(qū)動:
- 步�(jìn)電機(jī)、無刷直流電�(jī) (BLDC) 的控�
- 伺服�(qū)動器
3. �(fù)載切換:
- 電池管理系統(tǒng) (BMS)
- 過流保護(hù)和短路保�(hù)
4. 工業(yè)自動化:
- 可編程邏輯控制器 (PLC) 輸出�
- 固態(tài)繼電� (SSR)
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:
- 筆記本電腦適配器
- 手持�(shè)備的充電管理
WPN252012H100MR, WPN252012H100MTR