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WPN252012H100MT 發(fā)布時間 時間�2025/6/6 14:34:08 查看 閱讀�7

WPN252012H100MT 是一款高性能� N 沯道功率 MOSFET,采� TO-263 封裝形式。該器件適用于需要高效率、低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性的�(yīng)用場�。其典型�(yīng)用場景包括開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)動、負(fù)載切換以� DC-DC �(zhuǎn)換器�。該型號以其卓越的電氣性能和可靠性在工業(yè)和消�(fèi)電子�(lǐng)域中廣泛使用�
  該功� MOSFET 的設(shè)計旨在降低系�(tǒng)功耗并提高整體效率,同時具備良好的熱特性和耐受性,適合于高溫環(huán)境下的運(yùn)�。由于其封裝形式便于散熱和焊�,因此也常用于高功率密度的設(shè)��

參數(shù)

型號:WPN252012H100MT
  類型:N 溝道功率 MOSFET
  VDS(漏源極電壓):200V
  RDS(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�1.2Ω
  ID(連續(xù)漏極電流):4.9A
  VGSS(柵源極電壓范圍):-20V � +20V
  封裝形式:TO-263
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

WPN252012H100MT 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 高耐壓能力:支持高�(dá) 200V 的漏源極電壓,使其適用于高壓電路�
  2. 低導(dǎo)通電阻:RDS(on) 典型值為 1.2Ω,在高電流應(yīng)用中減少了導(dǎo)通損��
  3. 快速開�(guān)速度:優(yōu)化的柵極電荷�(shè)計確保了較快的開�(guān)速度,從而降低開�(guān)損��
  4. �(qiáng)大的電流處理能力:連續(xù)漏極電流高達(dá) 4.9A,滿足高功率需求�
  5. 寬工作溫度范圍:� -55°C � +175°C 的工作溫度范圍增�(qiáng)了其在極端條件下的適用��
  6. �(wěn)定的電氣性能:具有較高的擊穿電壓和較低的閾值電壓漂�,保證了長期使用的可靠性�
  7. 散熱性能�(yōu)良:TO-263 封裝提供了良好的散熱路徑,有助于維持�(wěn)定的�(yùn)行狀�(tài)�

�(yīng)�

WPN252012H100MT 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS)�
   - AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流
   - 電源管理模塊
  2. 電機(jī)�(qū)動:
   - 步�(jìn)電機(jī)、無刷直流電�(jī) (BLDC) 的控�
   - 伺服�(qū)動器
  3. �(fù)載切換:
   - 電池管理系統(tǒng) (BMS)
   - 過流保護(hù)和短路保�(hù)
  4. 工業(yè)自動化:
   - 可編程邏輯控制器 (PLC) 輸出�
   - 固態(tài)繼電� (SSR)
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:
   - 筆記本電腦適配器
   - 手持�(shè)備的充電管理

替代型號

WPN252012H100MR, WPN252012H100MTR

wpn252012h100mt推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

wpn252012h100mt參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • 價格2,000 : �1.50150卷帶(TR�
  • 系列WPN
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 類型鼓芯,繞線式
  • 材料 - 磁芯鐵氧�
  • 電感10 μH
  • 容差±20%
  • 額定電流(安培)850 mA
  • 電流 - 飽和 (Isat�1.1A
  • 屏蔽屏蔽
  • DC 電阻 (DCR)480 毫歐最�
  • 不同頻率� Q �-
  • 頻率 - 自諧�14MHz
  • 等級-
  • 工作溫度-40°C ~ 125°C
  • 電感頻率 - 測試1 MHz
  • 特�-
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼1008�2520 公制�
  • 供應(yīng)商器件封�1008
  • 大小 / 尺寸0.098" � x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)0.047"�1.20mm�