WPMD2013 時(shí)間：2025/5/23 17:14:11 閱讀：13

WPMD2013是一種高性能的功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）器件，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)等場(chǎng)景。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)，能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)的整體性能。
　　WPMD2013特別適合需要高效能和小封裝的應(yīng)用場(chǎng)合，其出色的熱特性和電氣性能使其成為許多功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。

參數(shù)

型號(hào)：WPMD2013
　　類型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源電壓(Vds)：60V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±20V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：80A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：4mΩ（典型值，Vgs=10V時(shí)）
　　總功耗(Ptot)：75W
　　工作結(jié)溫范圍(Tj)：-55°C 至 +175°C
　　封裝形式：TO-220

特性

WPMD2013具有以下主要特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于減少傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。
　　2. 高雪崩能量能力，增強(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒性。
　　3. 快速開關(guān)速度，支持高頻操作，從而減小了外部元件的尺寸。
　　4. 良好的熱性能，便于散熱設(shè)計(jì)，提高了長(zhǎng)期運(yùn)行的可靠性。
　　5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的合規(guī)要求。

應(yīng)用

WPMD2013適用于多種電力電子應(yīng)用領(lǐng)域，包括但不限于：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）中的功率開關(guān)。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流器。
　　3. 電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)電路。
　　4. 各類負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
　　5. 工業(yè)設(shè)備中的功率管理模塊。
　　由于其優(yōu)異的電氣特性和封裝形式，WPMD2013能夠在高電流和高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。