WNM03361DN是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能。廣泛應(yīng)用于功率�(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)以及DC-DC�(zhuǎn)換器等場景。其封裝形式為TO-252(DPAK�,適合表面貼裝技�(shù)(SMT)應(yīng)用�
這款MOSFET的主要特�(diǎn)是其低導(dǎo)通電�,有助于減少功率損耗并提高效率。同�(shí),它具有較高的柵極閾值電壓,能夠確保在各種應(yīng)用場景下的穩(wěn)定性和可靠��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�3.6A
�(dǎo)通電阻:45mΩ(典型值,在Vgs=10V�(shí)�
柵極電荷�9nC(典型值)
總功耗:1.1W(環(huán)境溫�25°C�(shí)�
工作�(jié)溫范圍:-55°C�+150°C
1. 極低的導(dǎo)通電阻降低了�(dǎo)通損耗,從而提高了整體系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力使其非常適合高頻開關(guān)�(yīng)��
3. 具備出色的雪崩擊穿能力和ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的耐用性�
4. 小型化的TO-252封裝節(jié)省了PCB空間,并且易于自�(dòng)化裝配�
5. 支持寬范圍的工作溫度,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條件�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件�
3. 各種�(fù)載開�(guān)�(yīng)��
4. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流元件�
5. 電池保護(hù)電路中的電子保險(xiǎn)絲功��
IRLZ44N
FDP5570
AON7328