WNM03316DN是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于高頻DC-DC�(zhuǎn)換器、電源適配器和無線充電設(shè)備中。該器件采用先�(jìn)的GaN FET�(shè)�(jì),具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,能夠在高頻條件下�(shí)�(xiàn)更高的效率和更小的體�。其封裝形式為DFN8�2mmx2mm�,適合于緊湊型設(shè)�(jì)需��
該芯片集成了�(qū)�(dòng)電路和保�(hù)功能,簡化了系統(tǒng)�(shè)�(jì)并增�(qiáng)了可靠�。它支持脈寬�(diào)制(PWM)控制,并且具有過溫保護(hù)、過流保�(hù)等功��
型號(hào):WNM03316DN
類型:GaN功率開關(guān)
最大漏源電壓(Vds):100V
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):160mΩ
柵極閾值電壓(Vgs(th)):2.5V
連續(xù)漏極電流(Id):3.3A
工作溫度范圍�-40℃至+125�
封裝:DFN8�2mmx2mm�
WNM03316DN采用了先�(jìn)的氮化鎵材料制造工藝,與傳�(tǒng)硅基MOSFET相比,具有更低的寄生電容和更快的開關(guān)速度。這使得它能夠顯著降低開關(guān)損耗,從而提升整體系�(tǒng)的效�。此�,其小型化的DFN封裝非常適合�(duì)空間要求較高的應(yīng)用環(huán)��
主要特性包括:
- 超低�(dǎo)通電阻,提高能效
- 高速開�(guān)性能,減少死區(qū)�(shí)�
- �(nèi)置多重保�(hù)�(jī)制,增強(qiáng)可靠�
- 支持高頻操作,縮小磁性元件尺�
- 兼容�(biāo)�(zhǔn)邏輯電平�(qū)�(dòng)
- 符合RoHS�(huán)保標(biāo)�(zhǔn)
WNM03316DN適用于多種高效能電力電子�(yīng)用領(lǐng)�,例如:
- 快速充電器和USB-PD適配�
- 高頻DC-DC�(zhuǎn)換器
- 小型化AC-DC電源解決方案
- 無線充電�(fā)射端電路
- 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的嵌入式電源模�
- 工業(yè)用輔助電�
由于其優(yōu)異的高頻特性和高效率表�(xiàn),這款芯片在追求高性能和小型化的應(yīng)用場景中表現(xiàn)出色�
WNM03318DN
WM03316DS
GAN033-16EPB