WNM01N11是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,專為高頻、高效能�(yīng)用設(shè)�。該器件具有出色的開�(guān)性能和低�(dǎo)通電阻,適用于電源轉(zhuǎn)�、射頻放大器以及其他需要高速開�(guān)的應(yīng)用場景�
該器件采用小尺寸封裝,便于集成到各種系統(tǒng)�,同時具備高耐壓能力,使其能夠勝任多種嚴苛的工作�(huán)��
型號:WNM01N11
類型:增強型場效�(yīng)晶體� (E-Mode FET)
材料:氮化鎵 (GaN)
漏源電壓(Vds):650V
連續(xù)漏極電流(Id):1.3A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):120mΩ
柵極電荷(Qg):40nC
總柵極電荷(Qgt):70nC
開關(guān)速度:超�
封裝形式:TO-252
WNM01N11的主要特點是其卓越的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻。具體如下:
1. 高擊穿電壓:可承受高�650V的漏源電�,適合高壓應(yīng)用場��
2. 超低�(dǎo)通電阻:在同類產(chǎn)品中表現(xiàn)突出,減少功率損耗,提升效率�
3. 快速開�(guān)能力:極低的柵極電荷確保了高效的開關(guān)操作,非常適合高頻應(yīng)��
4. 緊湊型封裝:采用TO-252封裝,節(jié)省空間且易于安裝�
5. 熱穩(wěn)定性強:得益于GaN技�(shù),能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定的性能輸出�
這些特性使WNM01N11成為電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等�(lǐng)域的理想選擇�
WNM01N11廣泛�(yīng)用于多個領(lǐng)�,包括但不限于以下場景:
1. 開關(guān)電源(SMPS):用于提高效率并縮小整體尺��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器:因其快速開�(guān)能力和低�(dǎo)通電阻,特別適用于高效能DC-DC�(zhuǎn)換電��
3. 射頻功率放大器:憑借其高頻性能,可有效提升射頻信號的傳輸質(zhì)��
4. 電機�(qū)動:支持更高頻率的PWM控制,優(yōu)化電機運行效��
5. 充電器與適配器:實現(xiàn)緊湊�(shè)計的同時提供更高的充電效率�
6. 太陽能逆變器:通過降低功率損耗來提升能量�(zhuǎn)換效��
WBG01N11
GAN01N11
CMD11N65