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WL2003E28G-5/TR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/27 10:07:06 查看 閱讀�45

WL2003E28G-5/TR 是一款高性能的閃存存儲芯�,采用先�(jìn)� NAND Flash 技�(shù)制�。該芯片主要�(yīng)用于嵌入式系�(tǒng)、消�(fèi)類電子產(chǎn)品和工業(yè)控制�(shè)備中,提供大容量的數(shù)�(jù)存儲解決方案�
  WL2003E28G-5/TR 的核心優(yōu)勢在于其高密度存儲能力和快速的�(shù)�(jù)讀寫速度。該�(chǎn)品兼容多種接口協(xié)�,并支持廣泛的溫度范�,使其在惡劣�(huán)境下依然能夠�(wěn)定運(yùn)��

參數(shù)

容量�28GB
  接口類型:SPI NOR Flash
  工作電壓�2.7V � 3.6V
  �(shù)�(jù)傳輸速率:高�(dá) 104MB/s
  擦除/編程周期�3000 �
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝形式:WSON8�8 引腳超薄小外形封裝)
  待機(jī)電流:小� 1μA

特�

WL2003E28G-5/TR 提供了卓越的性能表現(xiàn)和可靠��
  1. 高密度存儲:通過�(yōu)化的架構(gòu)�(shè)�(jì),該芯片能夠以更小的體積�(shí)�(xiàn)更高的存儲容��
  2. 快速讀寫:采用高� SPI 接口,確保數(shù)�(jù)傳輸效率�
  3. 超低功耗:無論是正常運(yùn)行還是待�(jī)狀�(tài),都能有效降低能��
  4. 寬溫支持:能夠在極端溫度條件下保持穩(wěn)定的性能輸出�
  5. �(shù)�(jù)保護(hù)�(jī)制:�(nèi)� ECC(錯誤校正碼)功�,可顯著提升�(shù)�(jù)完整性與可靠��
  6. 小型化封裝:WSON8 封裝形式不僅節(jié)省空�,還便于集成到各種緊湊型�(shè)�(jì)��

�(yīng)�

WL2003E28G-5/TR 廣泛�(yīng)用于需要大容量存儲和高可靠性的場景�
  1. 工業(yè)控制:如 PLC、HMI 等設(shè)備中的固件存儲和�(shù)�(jù)記錄�
  2. 消費(fèi)類電子:包括�(shù)碼相�(jī)、智能音箱和其他便攜式設(shè)��
  3. 嵌入式系�(tǒng):用于物�(lián)�(wǎng)�(shè)�、網(wǎng)�(luò)路由器及通信模塊中的代碼存儲�
  4. �(yī)療設(shè)備:如監(jiān)�(hù)儀、便攜式診斷�(shè)備等對數(shù)�(jù)完整性要求較高的場合�
  5. 汽車電子:適用于�(dǎo)航系�(tǒng)、行車記錄儀等車載應(yīng)用領(lǐng)��

替代型號

MX25L25635E, W25Q256JV, GD25Q256C

wl2003e28g-5/tr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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