WFU5N60B 是一款 N 治道垂直溝道功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。該器件采用 TO-220 封裝形式,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
該 MOSFET 的額定電壓為 600V,適合高壓應(yīng)用環(huán)境,同時(shí)具備良好的熱穩(wěn)定性和抗浪涌能力,可滿(mǎn)足工業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)電子設(shè)備的需求。
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流:5A
柵極閾值電壓:2V 至 4V
導(dǎo)通電阻(典型值):1.8Ω
總功耗:75W
工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃
封裝形式:TO-220
WFU5N60B 的主要特性包括以下幾點(diǎn):
1. 高耐壓能力:其 600V 的漏源電壓使其適用于多種高壓場(chǎng)景,例如開(kāi)關(guān)電源和逆變器。
2. 低導(dǎo)通電阻:1.8Ω 的典型導(dǎo)通電阻有助于減少傳導(dǎo)損耗,提升整體效率。
3. 快速開(kāi)關(guān)性能:該器件具有短開(kāi)關(guān)時(shí)間和低柵極電荷,非常適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
4. 穩(wěn)定性高:無(wú)論是在高溫還是低溫環(huán)境下,WFU5N60B 都能保持穩(wěn)定的電氣性能。
5. 抗干擾能力強(qiáng):具備較高的 dv/dt 和 di/dt 耐受能力,可防止誤觸發(fā)和損壞。
6. 小型化設(shè)計(jì):TO-220 封裝既便于安裝又有利于散熱,進(jìn)一步提升了產(chǎn)品的可靠性。
WFU5N60B 主要應(yīng)用于以下幾個(gè)領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源:作為主開(kāi)關(guān)器件,用于 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換電路中,實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):控制直流無(wú)刷電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)的運(yùn)行狀態(tài),提供精確的速度調(diào)節(jié)功能。
3. 工業(yè)自動(dòng)化:在各種工業(yè)控制設(shè)備中充當(dāng)功率開(kāi)關(guān)或保護(hù)元件。
4. LED 照明:用于恒流源驅(qū)動(dòng)電路,確保 LED 的亮度均勻且穩(wěn)定。
5. 電池管理:對(duì)鋰電池組進(jìn)行充放電管理和過(guò)流保護(hù)等操作。
FDP5I60,
IRF540N,
STP5NK60Z