WCL053N10DN是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率開�(guān)器件,適用于高頻、高效率電源�(zhuǎn)換場(chǎng)景。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,能夠提供更低的�(dǎo)通電阻和更快的開�(guān)速度,同�(shí)具備出色的熱性能和可靠�,適合用于設(shè)�(jì)緊湊且高效的電力電子�(shè)��
這款芯片主要面向消費(fèi)類電子產(chǎn)�、工�(yè)�(shè)備及通信基礎(chǔ)�(shè)施等�(yīng)用領(lǐng)域,其卓越的性能表現(xiàn)使其成為傳統(tǒng)硅基MOSFET的理想替代方��
型號(hào):WCL053N10DN
封裝形式:TO-252 (DPAK)
耐壓值:100V
連續(xù)漏極電流�5.3A
�(dǎo)通電阻:9mΩ(典型值)
柵極電荷�14nC(最大值)
反向恢復(fù)電荷:無(由于為氮化鎵器件,不存在體二極管)
工作溫度范圍�-55� � +175�
WCL053N10DN采用增強(qiáng)型氮化鎵�(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)技�(shù),具有以下顯著特�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高整體效率�
2. 快速開�(guān)特�,支持MHz�(jí)別的開關(guān)頻率,減少磁性元件尺寸�
3. 無反向恢�(fù)電荷問題,避免了與傳�(tǒng)硅基MOSFET相關(guān)的額外開�(guān)損耗�
4. 高溫工作能力,確保在�(yán)苛環(huán)境下依然保持�(wěn)定性能�
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),便于實(shí)�(xiàn)更緊湊的電路布局�
6. �(nèi)置保�(hù)功能,如過流保護(hù)和短路保�(hù),提升系�(tǒng)可靠��
WCL053N10DN廣泛�(yīng)用于各種高頻高效功率�(zhuǎn)換場(chǎng)景中,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(Switching Power Supply, SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 充電器及適配�
4. LED�(qū)�(dòng)電源
5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
6. 可再生能源逆變�
7. 電信及網(wǎng)�(luò)�(shè)備中的電源模�
8. 汽車電子中的輔助電源單元
得益于其高效率和高頻工作能力,該芯片非常適合需要小型化、輕量化�(shè)�(jì)的應(yīng)用場(chǎng)��
WCL053N12D
GAN053-100WS
IXGH50N100D2