WCL029N06DN 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的功率場效應(yīng)晶體� (MOSFET),專為高�、高效能開關(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器、開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和其他高頻功率轉(zhuǎn)換場景�
這款 GaN MOSFET 具有出色的熱性能和耐用�,能夠承受較高的電壓和電流負(fù)�,并在高溫環(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)行。此�,它還具備快速恢�(fù)二極管特性,從而減少了開關(guān)損耗并提高了整體效��
型號(hào):WCL029N06DN
類型:增�(qiáng)� E 模式 GaN HEMT
漏源擊穿電壓�650V
�(dǎo)通電阻(典型值)�29mΩ
最大漏極電流:14A
柵極�(qū)�(dòng)電壓(開�/�(guān)閉)�6V/-4V
�(jié)電容(Coss):18pF
總柵極電荷:30nC
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
1. 基于氮化� (GaN) 材料制�,具備更高的功率密度和效��
2. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗�
3. 高開�(guān)頻率支持,適合高頻應(yīng)用場��
4. �(nèi)置快速恢�(fù)二極管,降低開關(guān)過程中的反向恢復(fù)損��
5. 小尺寸封裝設(shè)�(jì),節(jié)省電路板空間�
6. 寬工作溫度范�,適用于�(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)��
7. 出色的熱管理能力,確保長�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS)
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 逆變器及電機(jī)�(qū)�(dòng)
4. 充電器及適配�
5. 工業(yè)電源系統(tǒng)
6. 可再生能源發(fā)電設(shè)�
7. 高效電力電子模塊
WCL033N06DG, WCL025N06DM, WCL029N06DP