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WCL029N06DN 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 21:56:42 查看 閱讀�20

WCL029N06DN 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的功率場效應(yīng)晶體� (MOSFET),專為高�、高效能開關(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器、開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和其他高頻功率轉(zhuǎn)換場景�
  這款 GaN MOSFET 具有出色的熱性能和耐用�,能夠承受較高的電壓和電流負(fù)�,并在高溫環(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)行。此�,它還具備快速恢�(fù)二極管特性,從而減少了開關(guān)損耗并提高了整體效��

參數(shù)

型號(hào):WCL029N06DN
  類型:增�(qiáng)� E 模式 GaN HEMT
  漏源擊穿電壓�650V
  �(dǎo)通電阻(典型值)�29mΩ
  最大漏極電流:14A
  柵極�(qū)�(dòng)電壓(開�/�(guān)閉)�6V/-4V
  �(jié)電容(Coss):18pF
  總柵極電荷:30nC
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C

特�

1. 基于氮化� (GaN) 材料制�,具備更高的功率密度和效��
  2. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗�
  3. 高開�(guān)頻率支持,適合高頻應(yīng)用場��
  4. �(nèi)置快速恢�(fù)二極管,降低開關(guān)過程中的反向恢復(fù)損��
  5. 小尺寸封裝設(shè)�(jì),節(jié)省電路板空間�
  6. 寬工作溫度范�,適用于�(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)��
  7. 出色的熱管理能力,確保長�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��

�(yīng)�

1. 開關(guān)模式電源 (SMPS)
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 逆變器及電機(jī)�(qū)�(dòng)
  4. 充電器及適配�
  5. 工業(yè)電源系統(tǒng)
  6. 可再生能源發(fā)電設(shè)�
  7. 高效電力電子模塊

替代型號(hào)

WCL033N06DG, WCL025N06DM, WCL029N06DP

wcl029n06dn推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

wcl029n06dn�(chǎn)�