WB2010-SMLD 是一款基于砷化鎵(GaAs)工藝制造的射頻功率晶體�。該晶體管專為高頻應(yīng)用而設(shè)�(jì),適用于S波段雷達(dá)、通信系統(tǒng)以及測試�(shè)備等高頻率環(huán)境下的功率放大任�(wù)。其封裝形式為氣密封裝,能夠提供高可靠�,并且具備良好的散熱性能�
該器件具有卓越的線性度和效�,使其成為需要高性能射頻放大的理想選�。通過�(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),WB2010-SMLD 能夠在較寬的工作頻率范圍�(nèi)保持�(wěn)定的輸出功率和增��
工作頻率�2.5 GHz - 3.8 GHz
輸出功率�40 W(典型值)
增益�10 dB(典型值)
電源電壓�+12 V
靜態(tài)電流�3 A(典型值)
駐波比(VSWR):� 2.5:1
封裝形式:SMLD 氣密陶瓷封裝
工作溫度范圍�-55°C � +105°C
WB2010-SMLD 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 高輸出功率:能夠在指定頻率范圍內(nèi)提供高達(dá)40W的連續(xù)波輸出功率,適合高功率射頻應(yīng)��
2. 寬帶操作:支持從2.5GHz�3.8GHz的寬帶頻率覆�,滿足多種射頻系�(tǒng)需求�
3. �(wěn)定性與可靠性:采用氣密封裝技�(shù),可有效隔絕外部濕氣和污染物,確保長期穩(wěn)定運(yùn)��
4. 低失真:�(yōu)化的電路�(shè)�(jì)使得線性度�(yōu)�,適用于對信�(hào)�(zhì)量要求較高的場合�
5. 散熱性能�(yōu)秀:內(nèi)置高效的散熱�(jī)�,能有效降低芯片工作�(shí)的溫升,提高整體效能�
WB2010-SMLD 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. S波段雷達(dá)系統(tǒng):作為核心功率放大器組件,提供足夠的射頻能量�(qū)�(dòng)天線�(fā)射信�(hào)�
2. 無線通信基站:用于提升信�(hào)覆蓋范圍和傳輸距雀�
3. 射頻測試與測量設(shè)備:如信�(hào)�(fā)生器和頻譜分析儀�,用作功率放大級(jí)�
4. �(wèi)星通信系統(tǒng):支持地面站與衛(wèi)星之間的高功率數(shù)�(jù)傳輸�
5. �(yī)療成像設(shè)備:例如磁共振成像(MRI)系�(tǒng)的射頻激�(lì)模塊�
WB2010-SMDL
WB2010-MTLD
WB2010-SMHD