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VZH680M1V0806-TR 發(fā)布時間 時間�2025/5/23 21:45:48 查看 閱讀�17

VZH680M1V0806-TR 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效率功率晶體�,采用增�(qiáng)型場效應(yīng)晶體� (eGaN FET) �(shè)計。該器件適用于高頻開�(guān)�(yīng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、無線充電模塊和電機(jī)�(qū)動系�(tǒng)�。相比傳�(tǒng)的硅� MOSFET,VZH680M1V0806-TR 提供了更低的�(dǎo)通電阻和更高的工作頻�,從而顯著提高了系統(tǒng)的功率密度和能效�
  該器件具有堅固的封裝�(shè)計,能夠承受惡劣的工作環(huán)�,并提供卓越的熱性能。同�,它兼容�(biāo)�(zhǔn)柵極�(qū)動電�,簡化了�(shè)計流程并降低了整體復(fù)雜��

參數(shù)

型號:VZH680M1V0806-TR
  類型:增�(qiáng)� GaN FET
  漏源電壓 (Vds)�600 V
  連續(xù)漏極電流 (Id)�8 A
  �(dǎo)通電� (Rds(on))�68 mΩ
  柵極電荷 (Qg)�35 nC
  輸入電容 (Ciss)�1420 pF
  輸出電容 (Coss)�70 pF
  反向傳輸電容 (Crss)�25 pF
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  封裝:TO-252 (DPAK)

特�

VZH680M1V0806-TR 的主要特性包括以下幾點:
  1. 高擊穿電壓(600V�,支持寬范圍的應(yīng)用場��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(68mΩ�,在大電流條件下減少了功率損��
  3. 快速開�(guān)能力,得益于其較低的柵極電荷和反向傳輸電�,非常適合高頻應(yīng)��
  4. 支持高溫運行(最高可�(dá)+150°C�,增�(qiáng)了器件在�(yán)苛條件下的可靠��
  5. 兼容�(xiàn)有硅� MOSFET 柵極�(qū)動器,方便用戶直接升級現(xiàn)有設(shè)計�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)�,適合現(xiàn)代工�(yè)需求�

�(yīng)�

VZH680M1V0806-TR 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � AC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電動工具和無人機(jī)中的高效電機(jī)�(qū)動器�
  3. �(shù)�(jù)中心及通信�(shè)備的高效� DC-DC �(zhuǎn)換模��
  4. 電動汽車和混合動力汽車的車載充電� (OBC) 和逆變��
  5. 高頻諧振�(zhuǎn)換器,如 LLC 和相移全橋拓?fù)�?br>  6. 智能家居與消費電子產(chǎn)品的無線充電解決方案�

替代型號

VZV680M1V0806-TR
  VNH680M1V0806-TR

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