VTB5040J是一款N溝道垂直功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),廣泛應用于需要高效開關和低導通電阻的場景。該器件采用了先進的制造工藝,能夠提供較低的導通電阻和較高的電流承載能�。其封裝形式通常為TO-220,適合高功率密度的應用需求�
該芯片的主要特點是具備優(yōu)秀的熱性能和電氣特�,使其成為電源管�、電機驅�、逆變器以及各種工�(yè)應用的理想選��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�40A
導通電阻:4mΩ
柵極電荷�38nC
最大功耗:175W
工作結溫范圍�-55� to 175�
封裝類型:TO-220
擁有低導通電�,這使得它在高電流應用中能減少功率損耗并提高效率。此外,其快速開關速度和低柵極電荷減少了開關損�,從而進一步提升了整體性能�
這款MOSFET還具有出色的雪崩能力和抗靜電性能,確保了其在惡劣�(huán)境下的可靠�。同時,它的熱阻較低,有助于改善散熱性能,延長使用壽��
VTB5040J采用標準TO-220封裝,便于安裝和使用,適用于多種行業(yè)標準設計。由于其卓越的電氣和熱性能,該芯片能夠在高頻率和高溫環(huán)境下保持�(wěn)定運行�
常用于直�-直流轉換�、開關電�、電動工具驅動電路、汽車電子系�(tǒng)、工�(yè)自動化設備等應用領域�
在電源管理方�,該器件可以作為高效的開關元�,用于降壓或升壓轉換器中。在電機驅動應用�,它可以控制大電流負載,并且能夠承受瞬態(tài)電壓波動�
此外,VTB5040J也適用于太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)的功率轉換模�,因其良好的散熱特性和高可靠性滿足這些應用的需��
IRF540N
STP55NF06L
FDP5570N
IXTK40N06P3