VNQ830E 是一� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采� QFN16 封裝形式。這款器件具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和良好的熱性能,非常適合用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合。其額定電壓� 60V,廣泛應(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電池供電�(shè)備中�
該芯片憑借其�(yōu)異的電氣特性和封裝�(shè)�(jì),能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)的整體效��
最大漏源極電壓�60V
連續(xù)漏極電流�42A
�(dǎo)通電阻(典型值)�2.5mΩ
柵極電荷�27nC
總電容:1980pF
工作�(jié)溫范圍:-55� � 175�
封裝形式:QFN16
VNQ830E 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在典型條件下僅為 2.5mΩ,可有效減少傳導(dǎo)損��
2. 快速開�(guān)能力,得益于較低的柵極電荷,適合高頻�(yīng)��
3. 高電流處理能�,支持高�(dá) 42A 的連續(xù)漏極電流�
4. 緊湊� QFN16 封裝�(shè)�(jì)有助于節(jié)� PCB 空間�
5. 工作溫度范圍寬廣,能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子系�(tǒng)中�
VNQ830E 廣泛適用于以下應(yīng)用場景:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流器�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率開�(guān)元件�
3. 各類�(fù)載開�(guān),例如便攜式�(shè)備中的動(dòng)�(tài)�(fù)載管��
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)和控制電��
5. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)�,如小型直流無刷電機(jī)的功率輸出級�
6. 其他需要高效功率管理的場景,如 LED �(qū)�(dòng)和音頻放大器�
VNQ830EP, IRF7830, FDP5500