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VNP5N07FI-E 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 17:04:33 查看 閱讀�23

VNP5N07FI-E 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,由 Vishay 公司生產(chǎn)。該器件采用 SO-8 封裝,具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于多種電源管理和功率轉(zhuǎn)換應用。VNP5N07FI-E 的最大漏源電壓為 60V,能夠提供高� 12A 的連續(xù)漏極電流(在特定條件下)。這款 MOSFET 非常適合用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電機驅(qū)動以及電池保護等電路��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�12A
  導通電阻(Rds(on)):40mΩ(典型�,當 Vgs=10V 時)
  柵極電荷�12nC(典型值)
  開關(guān)時間:ton=12ns,toff=9ns(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�

特�

VNP5N07FI-E 是一款性能�(yōu)異的功率 MOSFET,其主要特性包括以下幾點:
  1. 極低的導通電� (Rds(on)),可顯著降低傳導損��
  2. 快速開�(guān)速度,確保高效運行并減少開關(guān)損��
  3. 柵極電荷較低,有助于減輕�(qū)動器的負��
  4. 工作電壓范圍�,適配多種應用場��
  5. 提供 SO-8 封裝,便于安裝和散熱�
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設(shè)計�

應用

VNP5N07FI-E 廣泛應用于各種功率電子領(lǐng)�,具體應用包括:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  2. 負載開關(guān)和電源分配模塊�
  3. 電機�(qū)動和控制電路�
  4. 電池保護和管理電��
  5. LED �(qū)動器和其他需要高效功率切換的應用場景�

替代型號

VNQ0107EP-E, IRF540N

vnp5n07fi-e推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

vnp5n07fi-e參數(shù)

  • 制造商STMicroelectronics
  • �(chǎn)品種�MOSFET
  • 晶體管極�N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓70 V
  • 漏極連續(xù)電流5 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)0.2 Ohms
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝風格Through Hole
  • 封裝 / 箱體ISOWATT 220AB
  • 封裝Tube
  • 正向跨導 gFS(最大�/最小值)4 S
  • 最小工作溫�- 40 C
  • 功率耗散24 W
  • 工廠包裝�(shù)�50