VNP5N07FI-E 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,由 Vishay 公司生產(chǎn)。該器件采用 SO-8 封裝,具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于多種電源管理和功率轉(zhuǎn)換應用。VNP5N07FI-E 的最大漏源電壓為 60V,能夠提供高� 12A 的連續(xù)漏極電流(在特定條件下)。這款 MOSFET 非常適合用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電機驅(qū)動以及電池保護等電路��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�12A
導通電阻(Rds(on)):40mΩ(典型�,當 Vgs=10V 時)
柵極電荷�12nC(典型值)
開關(guān)時間:ton=12ns,toff=9ns(典型值)
工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
VNP5N07FI-E 是一款性能�(yōu)異的功率 MOSFET,其主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),可顯著降低傳導損��
2. 快速開�(guān)速度,確保高效運行并減少開關(guān)損��
3. 柵極電荷較低,有助于減輕�(qū)動器的負��
4. 工作電壓范圍�,適配多種應用場��
5. 提供 SO-8 封裝,便于安裝和散熱�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設(shè)計�
VNP5N07FI-E 廣泛應用于各種功率電子領(lǐng)�,具體應用包括:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 負載開關(guān)和電源分配模塊�
3. 電機�(qū)動和控制電路�
4. 電池保護和管理電��
5. LED �(qū)動器和其他需要高效功率切換的應用場景�
VNQ0107EP-E, IRF540N