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VNN7NV04 發(fā)布時間 時間�2025/3/27 14:26:45 查看 閱讀�36

VNN7NV04 是一款基于硅技�(shù)�(shè)計的 N 沒有通道功率 MOSFET,主要應(yīng)用于低電壓和高效能要求的場景。該器件采用了先�(jìn)的封裝工藝以確保出色的熱性能和電氣性能�
  其主要特�(diǎn)包括低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度以及良好的抗靜電能力。這些特性使� VNN7NV04 成為便攜式設(shè)�、計算機(jī)外設(shè)及工�(yè)控制等應(yīng)用的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�28A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�3.5mΩ
  柵極電荷�16nC
  輸入電容�1950pF
  工作�(jié)溫范圍:-55� to 150�

特�

VNN7NV04 的核心優(yōu)勢在于它的低�(dǎo)通電阻和高效率表�(xiàn)。該器件能夠在高頻條件下提供高效的切�,并且具備較低的開關(guān)損耗。此�,它還具有優(yōu)秀的熱�(wěn)定性和耐用�,能夠承受嚴(yán)苛的工作�(huán)境。其緊湊型封裝形式也使其非常適合空間受限的設(shè)計需��
  VNN7NV04 的低�(dǎo)通電阻有助于減少功耗,從而提高整體系�(tǒng)效能。同時,由于其具備較高的抗靜電能力(ESD�,因此在實際使用中更加可靠�

�(yīng)�

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  6. 固態(tài)硬盤控制器中的功率管�
  該器件憑借其低導(dǎo)通電阻和高效率特�,在上述�(lǐng)域均表現(xiàn)出色�

替代型號

VNQ0204P
  FDP5502
  IRLZ44N

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