VNLD5160TR-E 是一款基� N 溝道增強� MOSFET 技術的低電壓功率晶體管,廣泛應用于需要高效開關和低導通電阻的場景。該器件采用先進的制程工藝制�,具有出色的熱性能和電氣性能,適合于汽車級應用。其封裝形式� PowerPAK SO-8(DDPAK�,具備較低的熱阻和高電流承載能力�
該晶體管通常用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開關、電機驅(qū)�、電池管理以及各種電源管理系�(tǒng)��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�39A
導通電阻(Rds(on)):2.2mΩ(典型�,在 Vgs=10V 時)
柵極電荷�37nC(典型值)
開關速度:快速開�
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:PowerPAK SO-8(DDPAK�
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于降低功耗并提高效率�
2. 高電流處理能�,能夠承受高� 39A 的連續(xù)漏極電流�
3. 快速開關特�,減少開關損�,適用于高頻應用�
4. 符合 AEC-Q101 標準,確保在惡劣�(huán)境下的可靠性�
5. 較高的雪崩擊穿能力和抗靜電能�,提高了系統(tǒng)的魯棒性�
6. 工作溫度范圍�,適應從低溫到高溫的各種應用場景�
1. 汽車電子中的負載開關和電機驅(qū)動控��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器和降�/升壓�(zhuǎn)換器中的功率開關�
3. 電池保護電路和能量回收系�(tǒng)�
4. 開關電源� LED �(qū)動器中的功率�(diào)節(jié)�
5. 各類工業(yè)設備中的電源管理和信號切��
VNQ0160ATR-E, IRF7846TRPBF, FDMF8160