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VNLD5160TR-E 發(fā)布時間 時間�2025/5/16 17:59:30 查看 閱讀�20

VNLD5160TR-E 是一款基� N 溝道增強� MOSFET 技術的低電壓功率晶體管,廣泛應用于需要高效開關和低導通電阻的場景。該器件采用先進的制程工藝制�,具有出色的熱性能和電氣性能,適合于汽車級應用。其封裝形式� PowerPAK SO-8(DDPAK�,具備較低的熱阻和高電流承載能力�
  該晶體管通常用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開關、電機驅(qū)�、電池管理以及各種電源管理系�(tǒng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�39A
  導通電阻(Rds(on)):2.2mΩ(典型�,在 Vgs=10V 時)
  柵極電荷�37nC(典型值)
  開關速度:快速開�
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:PowerPAK SO-8(DDPAK�

特�

1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于降低功耗并提高效率�
  2. 高電流處理能�,能夠承受高� 39A 的連續(xù)漏極電流�
  3. 快速開關特�,減少開關損�,適用于高頻應用�
  4. 符合 AEC-Q101 標準,確保在惡劣�(huán)境下的可靠性�
  5. 較高的雪崩擊穿能力和抗靜電能�,提高了系統(tǒng)的魯棒性�
  6. 工作溫度范圍�,適應從低溫到高溫的各種應用場景�

應用

1. 汽車電子中的負載開關和電機驅(qū)動控��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器和降�/升壓�(zhuǎn)換器中的功率開關�
  3. 電池保護電路和能量回收系�(tǒng)�
  4. 開關電源� LED �(qū)動器中的功率�(diào)節(jié)�
  5. 各類工業(yè)設備中的電源管理和信號切��

替代型號

VNQ0160ATR-E, IRF7846TRPBF, FDMF8160

vnld5160tr-e推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

vnld5160tr-e參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • 價格1 : �12.48000剪切帶(CT�2,500 : �5.98748卷帶(TR�
  • 系列OMNIFET III?, VIPower?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 開關類型通用
  • 輸出�(shù)2
  • 比率 - 輸入:輸出1�
  • 輸出配置低端
  • 輸出類型N 通道
  • 接口�/�
  • 電壓 - 負載41V(最大)
  • 電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)4.5V ~ 5.5V
  • 電流 - 輸出(最大值)3.5A
  • 導通電阻(典型值)160 毫歐
  • 輸入類型非反�
  • 特�-
  • 故障保護限流(固定),超溫,過壓
  • 工作溫度-40°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應商器件封�8-SOIC
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)