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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > VNL5160S5TR-E

VNL5160S5TR-E 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 8:53:02 查看 閱讀�21

VNL5160S5TR-E 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用小型表面貼裝封裝(SOT-23�,非常適合需要高效率和小尺寸的應(yīng)用場(chǎng)�。其低導(dǎo)通電阻和出色的開�(guān)性能使其成為電池供電�(shè)�、負(fù)載切換、電源管理以及便攜式電子�(chǎn)品的理想選擇�
  VNL5160S5TR-E 在低電壓�(qū)�(dòng)條件下表�(xiàn)出色,支持邏輯電平直接驅(qū)�(dòng),減少了�(duì)外部�(qū)�(dòng)電路的需求。這不僅簡(jiǎn)化了�(shè)�(jì),還降低了整體系�(tǒng)的復(fù)雜性和成本�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�1.4A
  柵極閾值電壓:1.2V � 2.2V
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):典型� 0.18Ω @ Vgs=4.5V
  功耗:375mW
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  封裝類型:SOT-23

特�

VNL5160S5TR-E 的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻和緊湊的封裝形�。在 Vgs = 4.5V �,其 Rds(on) 典型值僅� 0.18Ω,這顯著降低了�(dǎo)通損�,提高了效率。此�,該 MOSFET 支持低至 1.2V 的柵極驅(qū)�(dòng)電壓,非常適合鋰離子電池等低電壓�(yīng)��
  � SOT-23 封裝確保了更少的空間占用,這對(duì)于空間受限的�(shè)�(jì)至關(guān)重要。同�(shí),VNL5160S5TR-E 提供高達(dá) 150°C 的工作溫度范�,保證了器件在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��

�(yīng)�

VNL5160S5TR-E 廣泛�(yīng)用于各類便攜式電子產(chǎn)品中,包括智能手�(jī)、平板電�、筆記本電腦及其它消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開�(guān)、電池管理模塊和 DC-DC �(zhuǎn)換器�
  此外,它也適用于工業(yè)控制、通信�(shè)備中的信�(hào)切換與保�(hù)電路。由于其高效的開�(guān)特性和低靜�(tài)電流消�,這款 MOSFET 還被用于 LED �(qū)�(dòng)器、電�(jī)控制以及音頻放大器等�(lǐng)��

替代型號(hào)

VNLB5160XS5TR-E

vnl5160s5tr-e推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

vnl5160s5tr-e參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件VNL5160S5-E View All Specifications
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)�(dòng)� - �(nèi)部開�(guān)
  • 系列OMNIFET III™, VIPower™
  • 類型低端
  • 輸入類型非反�
  • 輸出�(shù)1
  • �(dǎo)通狀�(tài)電阻160 毫歐
  • 電流 - 輸出 / 通道3.5A
  • 電流 - 峰值輸�5A
  • 電源電壓3.5 V ~ 5.5 V
  • 工作溫度-40°C ~ 150°C
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝Digi-Reel®
  • 其它名稱497-11712-6