VND600SP是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用SOT-23封裝,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,非常適合于便攜式設(shè)備、電源管理模塊以及信號切換等�(yīng)�。VND606SP因其小尺寸和高效能而被廣泛�(yīng)用于消費類電子產(chǎn)品中�
最大漏源電�(VDS)�60V
最大柵源電�(VGS):�20V
最大漏極電�(ID)�1.8A
�(dǎo)通電�(RDS(on))�0.9Ω(在VGS=10V時)
總功�(Ptot)�410mW
工作溫度范圍�-55℃至+150�
VND600SP采用了先進的制造工�,確保其具備以下特點�
1. 高效的導(dǎo)通性能,降低了功率損��
2. 小型化設(shè)�,使用SOT-23封裝,適合空間受限的�(yīng)用場景�
3. 快速開�(guān)能力,減少開�(guān)損��
4. �(wěn)定的電氣特�,在寬溫度范圍內(nèi)表現(xiàn)一��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
VND600SP適用于多種電子電路中,常見的�(yīng)用場景包括:
1. 開關(guān)電源中的同步整流��
2. DC/DC�(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件�
3. �(fù)載開�(guān),用于電池供電設(shè)備�
4. 信號切換電路,實�(xiàn)多路信號的選��
5. 電機�(qū)動電路中的功率級開關(guān)�
6. 保護電路,例如過流保護或短路保護�
VNQ1060B, SI2302DS