VND5T100LAJTR-E 是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用TO-263-3封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和良好的熱性能,適用于多種功率�(zhuǎn)換應(yīng)用場(chǎng)��
這種MOSFET主要用于電源管理電路中,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及負(fù)載開�(guān)等場(chǎng)�。其出色的電氣特性使得它在效率和散熱方面表現(xiàn)出色�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�5.6A
�(dǎo)通電阻(典型值)�0.04Ω
柵極電荷�7nC
輸入電容�1150pF
總功耗:38W
工作溫度范圍�-55� to 150�
1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了高效的功率傳�,降低了�(fā)熱損��
2. 快速開�(guān)能力減少了開�(guān)損耗,適合高頻操作�(huán)��
3. 高雪崩能量耐受能力增強(qiáng)了器件的魯棒�,使其能夠在惡劣條件下穩(wěn)定運(yùn)行�
4. 小巧的TO-263-3封裝便于安裝,并提供�(yōu)秀的散熱路徑�
5. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)各種工業(yè)和汽車級(jí)�(yīng)用需求�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保設(shè)�(jì)滿足全球市場(chǎng)�(zhǔn)入要求�
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流功能�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載控制開�(guān)�
4. 電池保護(hù)電路中的過流保護(hù)開關(guān)�
5. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率輸出�(jí)�
6. 充電器和適配器中的功率調(diào)節(jié)單元�
VND5T100LAE-E, VND5T100LAHTR-E