VND5E050AK是一種N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),適用于高頻�(kāi)�(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用TO-263封裝形式,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,能夠有效減少能量損耗并提升系統(tǒng)效率�
由于其出色的電氣性能和可靠�,VND5E050AK廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及其他需要高效能功率控制的場(chǎng)景中�
最大漏源電壓:50V
連續(xù)漏極電流�18A
�(dǎo)通電阻:7.5mΩ
柵極電荷�39nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=14ns, toff=18ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
封裝形式:TO-263
VND5E050AK具備以下�(guān)鍵特性:
1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì)有助于降低功率損�,從而提高整體效��
2. 較高的開(kāi)�(guān)速度使得它在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)�,能夠適�(yīng)�(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)快速響�(yīng)的需求�
3. 高電流承載能力確保其在大功率�(yīng)用場(chǎng)景下依然�(wěn)定可��
4. 封裝形式為T(mén)O-263,便于安裝和散熱處理�
5. 工作溫度范圍寬廣,能夠在極端�(huán)境下保持正常�(yùn)作�
6. 具備良好的熱�(wěn)定性及抗干擾能�,適合工�(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)�(chǎn)品使��
VND5E050AK主要�(yīng)用于以下幾�(gè)�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換電��
2. 直流�(wú)刷電�(jī)�(qū)�(dòng)器中的功率控制模塊�
3. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理單��
5. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的各種功率控制電路�
6. 其他需要高性能功率�(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景�
IRF540N
STP55NF06L
FDP55N06L