時間：2025/5/21 13:14:42
閱讀：6
VND5050AJTR-E 是一款 N 灃道晶體管 (N-Channel MOSFET)，采用小尺寸 TO-263-3（DPAK）封裝。該器件主要用于開關(guān)和功率控制應用，具有低導通電阻和高電流處理能力的特性，廣泛應用于汽車電子、電源管理、電機驅(qū)動等領域。
這款 MOSFET 具有出色的電氣性能和可靠性，特別適合需要高效率和低功耗的應用場景。
最大漏源電壓：50V
連續(xù)漏極電流：41A
導通電阻：1.5mΩ
柵極電荷：28nC
總電容：1290pF
工作溫度范圍：-40℃至175℃
VND5050AJTR-E 的主要特性包括：
1. 極低的導通電阻（Rds(on)），在典型條件下為 1.5mΩ，有助于降低傳導損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高額定電流，允許高達 41A 的連續(xù)漏極電流，使其能夠勝任大功率應用場景。
3. 符合 AEC-Q101 標準，確保其在嚴苛環(huán)境下的可靠性和穩(wěn)定性。
4. 寬工作溫度范圍（-40°C 至 +175°C），適用于極端條件下的操作。
5. 小型 DPAK 封裝設計，有助于節(jié)省 PCB 空間，并提供良好的散熱性能。
VND5050AJTR-E 廣泛應用于以下領域：
1. 汽車電子系統(tǒng)中的負載開關(guān)和電機驅(qū)動。
2. DC/DC 轉(zhuǎn)換器及降壓電路中的同步整流。
3. 開關(guān)電源（SMPS）和電池管理系統(tǒng)中的功率開關(guān)。
4. 電動工具、家用電器等高電流設備中的功率控制。
5. 工業(yè)自動化和通信設備中的保護電路和功率管理模塊。
VND5040AJTR-E, VND5060AJTR-E
