VND5012AKTR-E 是一款由 STMicroelectronics(意法半�(dǎo)體)生產(chǎn)� N 灃道晶體管(N-Channel MOSFET�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�,適用于多種功率�(zhuǎn)換和�(fù)載切換應(yīng)�。它通常用于�(shè)�(jì)高效能的電源管理系統(tǒng),如 DC-DC �(zhuǎn)換器、電池管理單元以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等�
VND5012AKTR-E 的封裝形式為 SOT-23 封裝,這種小型化封裝使其非常適合對(duì)空間有嚴(yán)格要求的�(yīng)用場(chǎng)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�1.8A
�(dǎo)通電阻:140mΩ
柵極電荷�3nC
總電容:10pF
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝類型:SOT-23
VND5012AKTR-E 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 確保在高電流�(yīng)用中減少功耗和熱量�(chǎn)��
2. 高開(kāi)�(guān)速度使得� MOSFET 在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色,例如開(kāi)�(guān)電源或脈寬調(diào)� (PWM) 電路�
3. 工作溫度范圍廣泛 (-55°C � +150°C),適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
4. 小型 SOT-23 封裝�(jiǎn)化了 PCB 布局�(shè)�(jì)并節(jié)省空間�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
此外,其高可靠性和�(wěn)定性使其成為許多工�(yè)及消�(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇�
VND5012AKTR-E 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
2. 手機(jī)和平板電腦等便攜式設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
3. LED 照明�(qū)�(dòng)電路�
4. 電池保護(hù)和管理模��
5. 各種電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
6. �(shù)�(jù)通信接口保護(hù)和信�(hào)切換�
7. 一般用途的邏輯電平�(qū)�(dòng)�(kāi)�(guān)�(yīng)��
由于其緊湊的封裝和高效的性能表現(xiàn),該器件特別適合于需要高性能和小尺寸解決方案的應(yīng)用場(chǎng)��
VNQ1010A, IRLML6402, BSS138