VND5004B是一款N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)等場(chǎng)�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
這款MOSFET采用TO-220封裝形式,便于散熱設(shè)�(jì),能夠承受較高的電流和電壓需求。其出色的性能和可靠性使其成為眾多電路設(shè)�(jì)中的理想選擇�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�50A
�(dǎo)通電阻:1.8mΩ(典型值)
柵極電荷�39nC(典型值)
總功耗:75W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
VND5004B具備以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有效減少功率損耗�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,適用于高頻工作�(huán)��
3. 大電流承載能�,滿(mǎn)足高功率�(yīng)用需求�
4. 良好的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下可靠�(yùn)行�
5. 柵極兼容邏輯電平�(qū)�(dòng),簡(jiǎn)化電路設(shè)�(jì)�
6. 短路耐受能力較強(qiáng),提高系�(tǒng)安全��
VND5004B主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源中的功率�(zhuǎn)換級(jí)�
2. 直流電機(jī)�(qū)�(dòng)電路�
3. 各類(lèi)�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
4. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率管理模��
5. 汽車(chē)電子中的高電流開(kāi)�(guān)�(yīng)��
6. 其他需要高效功率開(kāi)�(guān)的場(chǎng)��
VN5004B, IRF540N, FQP50N06L