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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > VNB10N07TR-E

VNB10N07TR-E 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 15:25:43 查看 閱讀�33

VNB10N07TR-E 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道功率 MOSFET。該器件采用� TO-263 (D2PAK) 封裝,適用于高頻開關(guān)�(yīng)用和�(fù)載切換等�(chǎng)�。其低導(dǎo)通電阻(Rds(on))和快速開�(guān)特性使其在各種電力電子�(shè)�(jì)中表�(xiàn)出色,廣泛用于消�(fèi)類電子產(chǎn)�、工�(yè)�(shè)備及通信電源等領(lǐng)��
  VNB10N07TR-E 的最大工作電壓為 70V,能夠支持高效率的功率轉(zhuǎn)�,并且具備較低的柵極電荷和輸出電容,有助于提高系�(tǒng)整體性能�

參數(shù)

最大漏源電�(Vds)�70V
  連續(xù)漏極電流(Id)�10A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�8.5mΩ
  柵極電荷(Qg)�9nC
  輸入電容(Ciss)�800pF
  總功�(Ptot)�40W
  工作�(jié)溫范�(Tj)�-55°C � +150°C
  封裝形式:TO-263 (D2PAK)

特�

VNB10N07TR-E 的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電阻和�(yōu)秀的開�(guān)性能,能夠在高頻�(yīng)用中�(shí)�(xiàn)更低的傳�(dǎo)損耗和開關(guān)損耗�
  1. 高效的功率傳輸:由于其超� Rds(on),該器件在功率轉(zhuǎn)換電路中能顯著減少能量損��
  2. 快速開�(guān)能力:低柵極電荷和輸出電容確保了更快的開�(guān)速度,從而降低了開關(guān)損��
  3. �(wěn)定性強(qiáng):具有出色的雪崩能力和熱�(wěn)定�,能夠在惡劣的工作條件下保持可靠�(yùn)行�
  4. 小型化設(shè)�(jì):TO-263 封裝既提供了良好的散熱性能,又節(jié)省了 PCB 空間�
  5. 廣泛的溫度適�(yīng)性:能夠� -55°C � +150°C 的結(jié)溫范圍內(nèi)�(wěn)定工�,適合多種環(huán)境的�(yīng)用需��

�(yīng)�

VNB10N07TR-E 可以�(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):如 AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)管或同步整流��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于無(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)�(qū)�(dòng)器中的功率級(jí)控制�
  3. 電池管理:適用于電池保護(hù)電路和充電管理系�(tǒng)�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化:用于可編程邏輯控制器(PLC)和其他工�(yè)�(shè)備中的功率控��
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:如筆記本電腦適配�、LED �(qū)�(dòng)器等需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)景�

替代型號(hào)

VNP10N07LT-E, IRFZ44N, FDP15N07

vnb10n07tr-e推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

vnb10n07tr-e參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件VNB10N07 View All Specifications
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)�(dòng)� - �(nèi)部開�(guān)
  • 系列OMNIFET™
  • 類型低端
  • 輸入類型非反�
  • 輸出�(shù)1
  • �(dǎo)通狀�(tài)電阻100 毫歐
  • 電流 - 輸出 / 通道-
  • 電流 - 峰值輸�10A
  • 電源電壓-
  • 工作溫度-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D2PAK
  • 包裝帶卷 (TR)