VN808SR是STMicroelectronics(意法半導體)推出的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用了先進的制造工�,具有低導通電阻、高開關速度和優(yōu)異的熱性能等特�,非常適合用于消費電�、工�(yè)控制以及汽車電子領域中的各種功率轉換和電機驅動應��
該器件采用TO-220封裝形式,具有較大的散熱面積,便于在高功率應用場景中使用。此外,VN808SR還具備良好的電氣特性和�(wěn)定�,能夠在寬溫度范圍內保持高性能表現�
最大漏源電壓:100V
最大連續(xù)漏極電流�8A
導通電阻:0.25Ω
柵極電荷�23nC
工作溫度范圍�-55℃至150�
封裝形式:TO-220
1. VN808SR擁有較低的導通電阻(Rds(on)�,這使其在高電流應用場景下能夠減少功耗并提高效率�
2. 具備快速開關能力,有助于降低開關損�,適用于高頻開關電源和逆變��
3. 高度�(wěn)定的電氣性能確保其在惡劣�(huán)境下仍能可靠運行�
4. TO-220封裝提供了優(yōu)秀的散熱性能,適合大功率應用�
5. 工作溫度范圍寬廣,能夠適應從低溫到高溫的各種工況需求�
6. 具有較高的雪崩擊穿能力和抗靜電能�,增強了器件的耐用��
1. 開關電源(SMPS)中的功率開�
2. DC-DC轉換器和升壓/降壓電路
3. 各種電機驅動應用,如直流無刷電機驅動
4. 汽車電子系統中的負載切換和保�
5. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模�
6. 家用電器中的功率管理單元
7. LED驅動器中的功率級元件