VN751STR 是一� N 灃道晶體管(N-MOSFET�,采用小型表面貼裝封裝(SOT-23)。該器件主要�(yīng)用于低電�、低功耗的開關(guān)和負載驅(qū)動應(yīng)用。由于其出色的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,VN751STR 廣泛用于消費電子、通信�(shè)備以及便攜式電子�(chǎn)品中�
VN751STR 的設(shè)計使其能夠在小尺寸的情況下提供高效的性能,同時具備較低的柵極電荷,從而減少了開關(guān)損耗并提高了整體效��
最大漏源電壓:40V
最大漏電流�400mA
最大柵源電壓:±8V
�(dǎo)通電阻:1.9Ω
總功耗:420mW
工作溫度范圍�-55℃至150�
1. 小型 SOT-23 封裝,節(jié)� PCB 空間�
2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低功��
3. 高速開�(guān)性能,適用于高頻電路�
4. 工作溫度范圍�,可適應(yīng)各種�(huán)境條��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設(shè)計�
6. 提供�(wěn)定的電氣性能,適合在電池供電的系�(tǒng)中使��
1. 開關(guān)電源中的同步整流�
2. 手機和便攜式�(shè)備中的負載開�(guān)�
3. 電機控制和驅(qū)��
4. 電池保護電路�
5. 信號切換和電平轉(zhuǎn)��
6. 低壓邏輯電路�(qū)��
VN751TR, BSS138, SI2302DS