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VN5050AJTR-E 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/27 9:00:20 查看 閱讀：30

VN5050AJTR-E 是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），采用小尺寸的DFN5060-8封裝，適用于空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性，適合用于電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)、同步整流以及便攜式設(shè)備中的高效能轉(zhuǎn)換電路。
　　其設(shè)計(jì)優(yōu)化了熱性能和電氣性能，同時(shí)具備良好的可靠性和穩(wěn)定性，能夠在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供優(yōu)異的表現(xiàn)。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　連續(xù)漏極電流：4.2A
　　導(dǎo)通電阻：7mΩ（典型值，在Vgs=10V時(shí)）
　　柵極電荷：9nC（典型值）
　　輸入電容：165pF（典型值）
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃至+150℃
　　封裝形式：DFN5060-8

特性

VN5050AJTR-E 具有以下主要特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，能夠有效減少功率損耗，提高系統(tǒng)效率。
　　2. 小型化的 DFN5060-8 封裝，非常適合對(duì)體積敏感的設(shè)計(jì)。
　　3. 高速開(kāi)關(guān)能力，支持高頻電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
　　4. 較高的電流承載能力，滿足大功率需求。
　　5. 良好的熱性能，確保在高功耗條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。
　　6. 寬工作溫度范圍，適應(yīng)多種環(huán)境條件。

應(yīng)用

這款 MOSFET 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 移動(dòng)設(shè)備及消費(fèi)類電子產(chǎn)品的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流。
　　3. 電池供電設(shè)備的功率管理。
　　4. USB 端口保護(hù)和切換。
　　5. 各種需要低功耗、小型化解決方案的場(chǎng)合。
　　VN5050AJTR-E 的高性能和緊湊封裝使其成為現(xiàn)代電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的理想選擇。

替代型號(hào)

VN5050AJTR, VN5050KJR-E, BSC0906-LS

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vn5050ajtr-e參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件VN5050AJ-E View All Specifications
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝1
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部開(kāi)關(guān)
  • 系列VIPower™
  • 類型高端
  • 輸入類型非反相
  • 輸出數(shù)1
  • 導(dǎo)通狀態(tài)電阻50 毫歐
  • 電流 - 輸出 / 通道12A
  • 電流 - 峰值輸出16.5A
  • 電源電壓4.5 V ~ 36 V
  • 工作溫度-40°C ~ 150°C
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerSSO-12
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PowerSSO-12
  • 包裝Digi-Reel®
  • 其它名稱497-11676-6