VN5016AJ-E 是一款N溝道增強型MOSFET晶體�,采用小尺寸SOT23封裝形式。該器件主要�(yīng)用于低電�、低功耗的場景,具有較低的導通電阻和快速開�(guān)特�。VN5016AJ-E適用于電池供電設(shè)備、消費類電子�(chǎn)品以及信號切換等�(yīng)用場��
這款MOSFET的設(shè)計使其能夠以較小的體積實�(xiàn)高效的電流控�,并且在靜態(tài)功耗方面表�(xiàn)�(yōu)��
最大漏源電壓:16V
最大柵源電壓:±8V
持續(xù)漏極電流�1.4A
導通電阻(Rds(on)):0.17歐姆(在Vgs=4.5V時)
柵極電荷�4nC
總功耗:300mW
工作溫度范圍�-55℃至+150�
VN5016AJ-E具備以下顯著特性:
1. 極低的導通電�,有助于減少功率損耗并提升效率�
2. 快速的開關(guān)速度,可以滿足高頻應(yīng)用需��
3. 小尺寸SOT23封裝,便于在空間受限的設(shè)計中使用�
4. 較寬的工作溫度范�,適�(yīng)各種�(huán)境條件下的運��
5. 高可靠性和�(wěn)定�,確保長期使用的性能一致��
VN5016AJ-E廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 消費類電子產(chǎn)品的電源管理�
2. 便攜式設(shè)備中的負載開�(guān)�
3. 信號切換電路�
4. 電池保護和管理系�(tǒng)�
5. LED�(qū)動器和其他低壓應(yīng)用場��
VN5016AJTR-E, SI2302DS-T1-GE3