VMM2326BJG是一種基于垂直MOSFET技�(shù)的高壓功率開�(guān)器件,專為高效率、高頻應(yīng)用設(shè)�(jì)。它采用TO-252封裝形式,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的擊穿電壓,廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各類工業(yè)控制�(lǐng)�。該器件在高溫環(huán)境下表現(xiàn)出優(yōu)異的�(wěn)定性和可靠�,同�(shí)具備快速開�(guān)能力以減少能量損��
由于其卓越的性能參數(shù)和可靠�,VMM2326BJG適用于需要高效能與緊湊空間的�(shè)�(jì)場合�
類型:N-Channel MOSFET
封裝:TO-252 (DPAK)
漏源極擊穿電壓:600V
連續(xù)漏極電流�2.8A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.4Ω
柵極電荷�17nC
總電容:140pF
工作溫度范圍�-55°C to +150°C
VMM2326BJG的核心特性在于其出色的電氣性能和機(jī)械穩(wěn)定�。首�,它�600V額定擊穿電壓使得該器件能夠勝任高電壓�(huán)境下的應(yīng)用需�,�1.4Ω的低�(dǎo)通電阻則確保了最小化的傳�(dǎo)損��
其次,VMM2326BJG具備快速開�(guān)能力,得益于其優(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),能夠在高頻電路中實(shí)�(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)�。此�,該器件的工作溫度范圍寬�,能夠在極端溫度條件下保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)�
另外,TO-252封裝形式不僅提供了良好的散熱效果,還支持表面貼裝工藝,從而簡化了制造流程并提高了生�(chǎn)的靈活�。這種封裝形式�(jié)合了高性能與易用性,非常適合�(xiàn)代電子設(shè)備的需求�
VMM2326BJG主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率因�(shù)校正(PFC)電路和DC-DC�(zhuǎn)換器�
2. 各類家用電器中的電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,例如冰箱壓縮機(jī)、空�(diào)�(fēng)扇等�
3. 工業(yè)自動(dòng)化控制中的電磁閥�(qū)�(dòng)、繼電器控制以及其他高壓�(fù)載切換場��
4. LED照明�(qū)�(dòng)電路,用于提供穩(wěn)定可靠的電流控制�
5. 其他需要高效能功率開關(guān)的應(yīng)用場�,如不間斷電源(UPS�、太陽能逆變器等�
VMM2326BJ, VMM2326BKG