型號(hào)：VJ0603D120MXBAJ
　　類型：GaN HEMT
　　漏源擊穿電壓：650 V
　　最大漏極電流：12 A
　　導(dǎo)通電阻：120 mΩ
　　柵極閾值電壓：1.8~3 V
　　工作溫度范圍：-55℃~+175℃
　　封裝形式：TO-252 (DPAK)

VJ0603D120MXBAJ 具備以下顯著特性：
　　1. 高效功率轉(zhuǎn)換能力，支持高達(dá)98%以上的效率水平。
　　2. 超低導(dǎo)通電阻（Rds(on)），減少傳導(dǎo)損耗。
　　3. 極快的開關(guān)速度，支持MHz級(jí)別的開關(guān)頻率。
　　4. 出色的熱穩(wěn)定性，在高溫環(huán)境下仍能保持良好的性能。
　　5. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能，增強(qiáng)可靠性。
　　6. 小型化的封裝設(shè)計(jì)，適合高密度電路板布局。
　　7. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛材料。

該芯片廣泛應(yīng)用于各種高效率功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，具體包括：
　　1. 開關(guān)模式電源（SMPS）中的功率級(jí)開關(guān)。
　　2. 服務(wù)器和通信設(shè)備中的DC-DC轉(zhuǎn)換模塊。
　　3. 太陽能逆變器的核心功率元件。
　　4. 快速充電適配器中的高頻功率開關(guān)。
　　5. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和伺服控制系統(tǒng)。
　　6. 高頻射頻放大器及無線能量傳輸系統(tǒng)。

VJ0603D100MXBAJ, VJ0603D150MXBAJ