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VI-RAM-M1 發(fā)布時間 時間�2025/6/6 16:21:32 查看 閱讀�4

VI-RAM-M1是一種基于非易失性存儲技�(shù)的磁阻隨�(jī)存取存儲器(MRAM�,它利用磁隧道結(jié)(MTJ)結(jié)�(gòu)來存儲數(shù)�(jù)。與傳統(tǒng)存儲器相�,VI-RAM-M1具備更高的寫入速度、更低的功耗以及幾乎無限的讀寫次�(shù)。該芯片廣泛�(yīng)用于需要高速數(shù)�(jù)訪問和非易失性存儲的場景,例如工�(yè)控制、汽車電子和嵌入式系�(tǒng)�
  VI-RAM-M1的核心優(yōu)勢在于其�(jié)合了RAM的速度和ROM的非易失�,使得即使在斷電情況�,數(shù)�(jù)也能被完整保�。此外,該芯片還具有良好的抗輻射性能,適合在惡劣�(huán)境下使用�

參數(shù)

容量�4Mb
  接口類型:SPI
  工作電壓�1.8V�3.3V
  �(shù)�(jù)保留時間:超�20�
  工作溫度范圍�-40°C � +125°C
  封裝形式:TSSOP-8, WSON-8
  最大時鐘頻率:50MHz
  典型功耗:待機(jī)模式下小�1μW
  寫入時間:小�35納秒

特�

VI-RAM-M1采用了自旋轉(zhuǎn)移力矩(STT-MRAM)技�(shù),確保了�(shù)�(jù)寫入過程中的高可靠性和低功耗。同時,由于其非易失性特�,設(shè)備可以在斷電后立即恢�(fù)到之前的狀�(tài),而無需�(jìn)行耗時的數(shù)�(jù)加載過程�
  此外,該芯片具有極高的耐用�,支持超�10^15次的讀寫周�,這遠(yuǎn)�(yuǎn)超過了傳�(tǒng)的閃存技�(shù)。其寬泛的工作溫度范圍使其非常適合在極端�(huán)境條件下�(yùn)�。對于需要頻繁寫入和快速啟動的�(yīng)用來說,VI-RAM-M1是一個理想的選擇�

�(yīng)�

VI-RAM-M1適用于多種高性能和關(guān)鍵任�(wù)場景,包括但不限于:
  1. 工業(yè)自動化控制系�(tǒng)中的實時�(shù)�(jù)記錄和配置存��
  2. 汽車電子模塊中的事件�(shù)�(jù)記錄和校�(zhǔn)參數(shù)保存�
  3. 嵌入式系�(tǒng)的固件存儲和�(yùn)行時變量保存�
  4. 物聯(lián)�(wǎng)(IoT)設(shè)備中的本地數(shù)�(jù)緩存和斷點續(xù)傳功��
  5. 航空航天�(lǐng)域的高可靠性存儲需��
  6. �(yī)療設(shè)備中的病人數(shù)�(jù)記錄和設(shè)備狀�(tài)跟蹤�

替代型號

VI-RAM-M2, VI-RAM-M3

vi-ram-m1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

vi-ram-m1資料 更多>

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vi-ram-m1參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別電源 - 板載
  • 家庭配件
  • 系列*
  • 其它名稱Q7037164