VI-RAM-M1是一種基于非易失性存儲技�(shù)的磁阻隨�(jī)存取存儲器(MRAM�,它利用磁隧道結(jié)(MTJ)結(jié)�(gòu)來存儲數(shù)�(jù)。與傳統(tǒng)存儲器相�,VI-RAM-M1具備更高的寫入速度、更低的功耗以及幾乎無限的讀寫次�(shù)。該芯片廣泛�(yīng)用于需要高速數(shù)�(jù)訪問和非易失性存儲的場景,例如工�(yè)控制、汽車電子和嵌入式系�(tǒng)�
VI-RAM-M1的核心優(yōu)勢在于其�(jié)合了RAM的速度和ROM的非易失�,使得即使在斷電情況�,數(shù)�(jù)也能被完整保�。此外,該芯片還具有良好的抗輻射性能,適合在惡劣�(huán)境下使用�
容量�4Mb
接口類型:SPI
工作電壓�1.8V�3.3V
�(shù)�(jù)保留時間:超�20�
工作溫度范圍�-40°C � +125°C
封裝形式:TSSOP-8, WSON-8
最大時鐘頻率:50MHz
典型功耗:待機(jī)模式下小�1μW
寫入時間:小�35納秒
VI-RAM-M1采用了自旋轉(zhuǎn)移力矩(STT-MRAM)技�(shù),確保了�(shù)�(jù)寫入過程中的高可靠性和低功耗。同時,由于其非易失性特�,設(shè)備可以在斷電后立即恢�(fù)到之前的狀�(tài),而無需�(jìn)行耗時的數(shù)�(jù)加載過程�
此外,該芯片具有極高的耐用�,支持超�10^15次的讀寫周�,這遠(yuǎn)�(yuǎn)超過了傳�(tǒng)的閃存技�(shù)。其寬泛的工作溫度范圍使其非常適合在極端�(huán)境條件下�(yùn)�。對于需要頻繁寫入和快速啟動的�(yīng)用來說,VI-RAM-M1是一個理想的選擇�
VI-RAM-M1適用于多種高性能和關(guān)鍵任�(wù)場景,包括但不限于:
1. 工業(yè)自動化控制系�(tǒng)中的實時�(shù)�(jù)記錄和配置存��
2. 汽車電子模塊中的事件�(shù)�(jù)記錄和校�(zhǔn)參數(shù)保存�
3. 嵌入式系�(tǒng)的固件存儲和�(yùn)行時變量保存�
4. 物聯(lián)�(wǎng)(IoT)設(shè)備中的本地數(shù)�(jù)緩存和斷點續(xù)傳功��
5. 航空航天�(lǐng)域的高可靠性存儲需��
6. �(yī)療設(shè)備中的病人數(shù)�(jù)記錄和設(shè)備狀�(tài)跟蹤�
VI-RAM-M2, VI-RAM-M3