VI-912598B(V300A9M550BL)是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高效率開�(guān)電源、電機驅(qū)動以及負載開�(guān)等場�。該器件采用先進的制造工藝,具備低導通電�、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度的特點,能夠在高頻工作條件下保持高效�(wěn)定運��
該型號為N溝道增強型場效應(yīng)晶體�,適用于各種工業(yè)和消費類電子�(chǎn)品中,以實現(xiàn)對電流的精準控制和高效轉(zhuǎn)換�
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�55A
導通電�(Rds(on))�4.5mΩ
總功�(Ptot)�265W
�(jié)溫范�(Tj)�-55� to +175�
封裝形式:TO-247
1. 極低的導通電�,有效減少功率損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高擊穿電壓確保在高壓�(huán)境下的可靠性和安全性�
3. 快速開�(guān)速度,支持高頻應(yīng)�,減少開�(guān)損��
4. 具備出色的熱性能,能夠承受高負載條件�
5. �(yōu)化的柵極電荷�(shè)計,簡化�(qū)動電路設(shè)計并提高效率�
6. 符合RoHS標準,綠色環(huán)�,適合多種應(yīng)用場��
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流��
2. 電機�(qū)動中的功率級控制�
3. 負載開關(guān)及保護電��
4. DC/DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
6. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理單元�
IRFZ44N
STP55NF06
FDP55N06L