VI-251-MW是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高效率和優(yōu)異的熱性能,適合在高頻開關(guān)條件下工��
該器件支持大電流輸出,并能在較寬的工作電壓范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)�,廣泛用于工�(yè)控制、消�(fèi)電子以及通信�(shè)備中�
型號(hào):VI-251-MW
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大漏極電�(Id)�40A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ(典型�,Vgs=10V�
功�(PD)�220W
工作溫度范圍(Tj)�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
VI-251-MW具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)速度,適用于高頻�(yīng)用場(chǎng)�,降低開�(guān)損��
3. 高雪崩耐量能力,確保在異常情況下能夠承受過(guò)載沖��
4. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,提高了芯片的可靠��
5. 小巧且高效的散熱�(shè)�(jì),便于集成到緊湊型解決方案中�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛工藝�
這些特點(diǎn)使VI-251-MW成為需要高效能和高可靠性的�(yīng)用的理想選擇�
VI-251-MW適用于多種電力電子場(chǎng)�,包括但不限于:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開�(guān)元件�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率開�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)中的功率�(jí)控制�
4. 充電器和適配器中的同步整流電路�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
6. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(chǎn)��
其強(qiáng)大的性能表現(xiàn)使其成為許多高性能功率�(zhuǎn)換系�(tǒng)的首選元件�
VI-250-MW, IRF250N, FDP037N06L