VHF160808H1N6ST 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�,專為高頻射頻應(yīng)用設(shè)�(jì)。它采用先�(jìn)� GaN-on-SiC 技�(shù)制造,具有卓越的功率密度和熱性能,適用于雷達(dá)、通信系統(tǒng)和電子戰(zhàn)�(shè)備等�(lǐng)域的高頻率、高功率�(yīng)用場(chǎng)��
該器件的工作頻率范圍�,能夠支持從 VHF � L 波段的應(yīng)用需�,同�(shí)具備出色的線性度和增益特�,從而為�(fù)雜的�(xiàn)代射頻系�(tǒng)提供可靠的解決方��
類型:功率晶體管
材料:氮化鎵 (GaN)
封裝形式:陶瓷氣密封�
最大輸出功率:200W
工作頻率范圍�30MHz - 1GHz
增益�15dB(典型值)
漏極電壓�50V
漏極電流�30A
插入損耗:�2.5dB
駐波比(VSWR):�2.0
�(jié)溫范圍:-55°C � +150°C
VHF160808H1N6ST 的主要特性包括其高效率的功率輸出能力,這得益于氮化鎵材料的�(yōu)異電�(xué)性質(zhì)。相比傳�(tǒng)的硅基晶體管,GaN 器件可以在更高的電壓下工�,并且具備更低的�(dǎo)通電阻和更快的開�(guān)速度�
此外,這款晶體管采用了陶瓷氣密封裝技�(shù),確保在惡劣�(huán)境下的長(zhǎng)期可靠�。其寬泛的工作頻率范圍使其非常適合多種射頻應(yīng)用場(chǎng)景,例如地面雷達(dá)系統(tǒng)、航空通信�(shè)備以及衛(wèi)星鏈路等�
在線性度方面,VHF160808H1N6ST 能夠保持較低的互�(diào)失真水平,這對(duì)于需要高�(zhì)量信�(hào)傳輸?shù)�?yīng)用非常重要。同�(shí),它的高熱導(dǎo)率設(shè)�(jì)可以有效降低工作溫度,延�(zhǎng)使用壽命并提高系�(tǒng)的整體穩(wěn)定��
VHF160808H1N6ST 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 軍事雷達(dá)系統(tǒng):提供高功率射頻輸出以增�(qiáng)探測(cè)距離和精��
2. �(wèi)星通信:用于上行鏈路放大器,提升數(shù)�(jù)傳輸速率�
3. 移動(dòng)通信基站:支� LTE � 5G �(wǎng)�(luò)中的大容量信�(hào)處理�
4. 工業(yè)加熱與等離子體生成:利用高頻能量�(shí)�(xiàn)材料加工或表面處��
5. �(yī)療成像設(shè)備:如超聲波和核磁共振儀器中作為核心功率�(qū)�(dòng)組件�
VHF160808H1N5ST, VHF160808H1N7ST