VG039NCHXTB303 是一� N 灃道晶體管(N-Channel MOSFET),主要用于�(kāi)�(guān)和功率管理應(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性等特性,廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制和通信�(shè)備等�(lǐng)��
該型�(hào)� MOSFET 特別適合需要高效能和低損耗的�(yīng)用場(chǎng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)器和�(fù)載開(kāi)�(guān)等�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�16A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
總柵極電荷:48nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:典型值為 11ns(開(kāi)啟)� 17ns(關(guān)閉)
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
VG039NCHXTB303 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠顯著降低功率損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)性能,適用于高頻電路�(shè)�(jì)�
3. 具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠性,可適�(yīng)惡劣的工作環(huán)��
4. 小型化封裝,便于在緊湊型�(shè)�(jì)中使��
5. 支持大電流操作,滿足高性能�(yīng)用需��
6. 寬泛的工作溫度范圍,確保器件在極端條件下的正常運(yùn)��
這款 MOSFET 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心組��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的�(kāi)�(guān)元件�
4. 各類�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
7. 汽車電子中的電機(jī)控制和電源管理單��
IRF3710, FDP5510, AO3400