VB30200C 時(shí)間：2025/5/24 9:46:37 閱讀：9

VB30200C是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開關(guān)等場(chǎng)景。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能，適合于需要高效能和高可靠性的應(yīng)用。其封裝形式通常為TO-252（DPAK），能夠承受較高的電流和電壓，同時(shí)保持較低的功率損耗。
　　這款MOSFET通過優(yōu)化的芯片設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了更低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，從而提升了整體效率并降低了系統(tǒng)的發(fā)熱。此外，VB30200C具備優(yōu)異的雪崩能力和抗浪涌能力，確保在嚴(yán)苛環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　連續(xù)漏極電流：20A
　　導(dǎo)通電阻：2mΩ
　　柵極電荷：18nC
　　輸入電容：960pF
　　總電容：720pF
　　功耗：12W
　　工作溫度范圍：-55℃至+175℃

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)）確保了在大電流應(yīng)用中的高效表現(xiàn)。
　　2. 高速開關(guān)能力，減少了開關(guān)損耗，適用于高頻電路。
　　3. 采用先進(jìn)的制造工藝，提供卓越的熱性能和可靠性。
　　4. 具備短路保護(hù)和過溫保護(hù)功能，提高了系統(tǒng)安全性。
　　5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且無鉛。
　　6. 在極端溫度條件下仍能保持穩(wěn)定的電氣性能。
　　7. 小型化封裝設(shè)計(jì)節(jié)省PCB空間，同時(shí)支持表面貼裝技術(shù)（SMT）以提高生產(chǎn)效率。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源（SMPS）中的同步整流器。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)開關(guān)。
　　3. 負(fù)載開關(guān)和電源管理模塊。
　　4. DC-DC轉(zhuǎn)換器和升降壓變換器。
　　5. 電池管理系統(tǒng)（BMS）中的保護(hù)開關(guān)。
　　6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制元件。
　　7. 汽車電子中的直流電機(jī)控制和照明系統(tǒng)。
　　8. 可再生能源領(lǐng)域如太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換組件。