V8R0B0402HQC500NBT 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先進的制造工藝以實現(xiàn)高效率和低損�。該器件專為高頻開關應用而設�,適用于各種電源管理場景,包� DC-DC 轉換�、逆變器和電機驅動�。其�(yōu)化的 Rds(on) � Qg 參數(shù)能夠顯著降低導通和開關損耗�
型號:V8R0B0402HQC500NBT
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�40V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�160A
導通電�(Rds(on))�3.5mΩ(典型�,在 Vgs=10V 時)
總柵極電�(Qg)�90nC(典型值)
工作溫度范圍(Top)�-5�
封裝形式:TO-247
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. �(yōu)化的柵極電荷設計使得開關速度更快,從而降低了開關損耗�
3. 高額定電流能力(Id=160A�,可滿足大功率應用場景的需��
4. 支持寬廣的工作溫度范圍(-55� � +175℃),確保在極端�(huán)境下的穩(wěn)定運��
5. 封裝堅固耐用,具有良好的散熱性能,適合長期高強度使用�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全可靠�
1. 開關模式電源(SMPS),如 AC-DC � DC-DC 轉換器�
2. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)中的功率調節(jié)�
3. 電動�(EV)和混合動力車(HEV)中的電機驅動及電池管理系�(tǒng)(BMS)�
4. 工業(yè)自動化設備中的負載切換與控制�
5. LED 照明驅動電路以及其他需要高頻開關的場合�
V8R0B0402HQD500NBT, IRF840, FDP55N06L