V59C1512164QDJ3 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和�(fù)載切換等場景。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻、高耐壓和快速開�(guān)特�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和�(wěn)定��
該器件為 N 溝道增強� MOSFET,具有優(yōu)異的熱性能和電氣性能,能夠在高頻條件下保持穩(wěn)定的輸出表現(xiàn)。其封裝形式通常為表面貼裝類型(� DPAK 或類似的緊湊封裝�,適合高密度電路板設(shè)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�70nC
開關(guān)速度:典型� 12ns
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝形式:DPAK(TO-252�
V59C1512164QDJ3 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可有效減少傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度,適用于高頻開關(guān)�(yīng)��
3. 高電流承載能�,支持大功率�(fù)載驅(qū)��
4. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增強了芯片的可靠��
5. 小型化封裝設(shè)�,有助于節(jié)� PCB 空間�
6. 寬工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下的穩(wěn)定運��
V59C1512164QDJ3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主功率開關(guān)�
2. 電機�(qū)動器中的半橋或全橋配��
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切��
4. 電動汽車充電系統(tǒng)中的功率管理�
5. 太陽能逆變器和其他新能源轉(zhuǎn)換裝��
6. LED �(qū)動器及各類高效能電源解決方案�
V59C1512164QDJ2, IRFZ44N, FDP18N06L