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V2R0A0402HQC500NBT 發(fā)布時間 時間�2025/6/5 13:51:39 查看 閱讀�9

V2R0A0402HQC500NBT 是一款由 Vishay 生產(chǎn)的高� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),屬� SiHFxx 系列。該系列器件專為高頻開關(guān)�(yīng)用而設(shè)�,廣泛應(yīng)用于電源管理、DC-DC �(zhuǎn)換器、LED �(qū)動器以及工業(yè)控制等領(lǐng)域�
  該器件采� N 溝道技�(shù),具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,使其在效率和性能上表�(xiàn)出色。同�,其封裝形式� PowerPAK? 1212-8,具有出色的散熱特性和高功率密��

參數(shù)

型號:V2R0A0402HQC500NBT
  類型:N溝道MOSFET
  漏源極電�(Vds)�400V
  連續(xù)漏極電流(Id)�2.3A
  柵極閾值電�(Vgs(th))�4V
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�6.5Ω (最大�,在 Vgs=10V �)
  功�(Ptot)�3.1W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:PowerPAK? 1212-8

特�

V2R0A0402HQC500NBT 的主要特性包括:
  1. 極高的耐壓能力,支持高� 400V 的漏源極電壓,適合高壓環(huán)境下的應(yīng)��
  2. 較低的導(dǎo)通電� (6.5Ω),能夠減少傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)能力,具備短開關(guān)時間和低柵極電荷,適用于高頻電路�
  4. 工作溫度范圍� (-55°C � +175°C),能夠在極端�(huán)境下保持�(wěn)定性能�
  5. 小型化封� PowerPAK? 1212-8,提供良好的熱性能和電氣連接性�
  6. 具有增強� ESD 保護功能,提升了器件的可靠��

�(yīng)�

V2R0A0402HQC500NBT 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中作為開�(guān)元件�
  2. LED �(qū)動器中的功率�(diào)節(jié)和負載控��
  3. 電機�(qū)動和逆變器電路中的功率級組件�
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號切換與負載控制�
  5. 高頻諧振�(zhuǎn)換器和其他需要高效能開關(guān)的應(yīng)用場��

替代型號

V2R0A0402HQD500NBT, V2R0A0402HQC500NB

v2r0a0402hqc500nbt推薦供應(yīng)� 更多>

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