V24B12M200BL 是一款基于硅技�(shù)的高� MOSFET 芯片,廣泛應用于高功率開�(guān)電路、電機驅(qū)動和電源管理等場景。該芯片采用先進的制造工�,在保證高效能的同時,也具有較低的導通電阻和較高的耐壓性能,非常適合工�(yè)級和汽車級應��
這款器件采用� TO-247 封裝形式,具備出色的散熱性能,適用于高電流和高電壓工作條件下的電路設(shè)��
型號:V24B12M200BL
類型:N溝道增強型MOSFET
封裝:TO-247
最大漏源電�(Vds)�1200V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大漏極電�(Id)�200A
導通電�(Rds(on))�6.5mΩ
功耗:300W
工作溫度范圍�-55� � +175�
柵極電荷(Qg)�200nC
V24B12M200BL 具有以下主要特性:
1. 高擊穿電壓(1200V�,可適應各種高壓應用場景�
2. 極低的導通電阻(6.5mΩ�,能夠顯著降低導通損�,提高效率�
3. 快速開�(guān)速度,支持高頻操作,減少開關(guān)損��
4. �(nèi)置保護功�,如過流保護和熱�(guān)斷保護,提升系統(tǒng)可靠��
5. 符合 AEC-Q101 標準,確保在嚴苛�(huán)境下�(wěn)定運��
6. 高峰值脈沖能力,適合大電流沖擊的應用需��
7. 支持表面貼裝和插件安裝方式,便于不同類型的電路板�(shè)��
V24B12M200BL 可應用于多種�(lǐng)域,包括但不限于以下方面�
1. 工業(yè)�(shè)備中的逆變器和變頻器控��
2. 電動汽車及混合動力汽車的動力系統(tǒng)和充電模��
3. 高壓直流-直流�(zhuǎn)換器和開�(guān)電源�
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源發(fā)電系�(tǒng)�
5. 電機�(qū)動和制動電路�
6. 不間斷電�(UPS)和電池管理系�(tǒng)(BMS)�
7. 高功� LED 照明�(qū)動電��
V24B12M180BL, V24B12M220BL