V100ZA3P是一種高性能的功率MOSFET器件,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動和開關(guān)電路�。該芯片采用先進的半導(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并減少能耗�
這款器件適合在高電流和高頻應(yīng)用場合下使用,其堅固的設(shè)計確保了在惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠��
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻(典型值)�2.5mΩ
總功耗:180W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于降低傳�(dǎo)損�,提升整體系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)性能,支持高頻應(yīng)用需求�
3. �(nèi)置ESD保護電路,提高了器件的抗靜電能力�
4. 熱穩(wěn)定性強,能夠在高溫�(huán)境下長時間運��
5. 小型化封裝設(shè)�,便于PCB布局和安��
6. 符合RoHS標準,綠色環(huán)保�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
3. 電機�(qū)動電路中的功率級控制�
4. 汽車電子系統(tǒng)的負載開�(guān)和保護電路�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��
6. 其他需要高效功率處理的�(yīng)用領(lǐng)域�
V100ZA3Q, V100ZA4P