時(shí)間：2025/5/28 11:39:11
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UT63M125-BB是一款高性能的功率MOSFET芯片，屬于N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能，適用于多種電源管理場景。其主要功能是通過控制柵極電壓來實(shí)現(xiàn)對負(fù)載電流的開關(guān)或調(diào)節(jié)，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、消費(fèi)電子及汽車電子領(lǐng)域。
型號：UT63M125-BB
類型：N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vds)：125V
最大柵源電壓(Vgs)：±20V
連續(xù)漏極電流(Id)：15A
脈沖漏極電流(Ip)：45A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：0.12Ω
總功耗(Ptot)：180W
結(jié)溫范圍(Tj)：-55°C 至 +175°C
封裝形式：TO-220
工作溫度范圍(Ta)：-40°C 至 +125°C
UT63M125-BB具備以下顯著特點(diǎn)：
1. 極低的導(dǎo)通電阻(0.12Ω)，能夠有效降低功耗，提高系統(tǒng)效率。
2. 高耐壓能力(125V)，適用于高壓應(yīng)用場景。
3. 支持大電流操作(連續(xù)漏極電流可達(dá)15A)，滿足高功率需求。
4. 快速開關(guān)特性，適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
5. 出色的熱穩(wěn)定性，能夠在極端溫度條件下可靠運(yùn)行(-55°C至+175°C)。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛設(shè)計(jì)。
7. 封裝形式為TO-220，便于安裝與散熱設(shè)計(jì)。
該芯片廣泛應(yīng)用于各種電力電子設(shè)備中，包括但不限于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)元件。
2. DC/DC轉(zhuǎn)換器的核心開關(guān)器件。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率輸出級。
4. 汽車電子系統(tǒng)的負(fù)載控制模塊。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)單元。
6. 充電器、逆變器等消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的關(guān)鍵組件。
IRFZ44N
FQP17N12
STP15NF06L
