UT3N06L-AE3-R 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的增�(qiáng)型功率晶體管,采用常�(guān)型設(shè)�(jì)。該器件具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和高效率的特�(diǎn),適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變器以及其他功率電子應(yīng)�。其封裝形式為緊湊型表面貼裝器件,便于在高密度電路板上使用�
這款 GaN 晶體管與傳統(tǒng)硅基 MOSFET 相比,在高頻和高效能�(yīng)用場景中表現(xiàn)出顯著的�(yōu)��
型號(hào):UT3N06L-AE3-R
類型:增�(qiáng)� GaN 功率晶體�
最大漏源電�(Vds)�650V
最大漏極電�(Id)�12A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�16mΩ
柵極閾值電�(Vth)�1.5V~3.5V
工作溫度范圍�-40℃~+125�
封裝形式:TO-LEADLESS
UT3N06L-AE3-R 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 高效性:由于 GaN 材料的獨(dú)特性能,該晶體管能夠以更低的開�(guān)損耗實(shí)�(xiàn)更高的轉(zhuǎn)換效��
2. 快速開�(guān)能力:具備納秒級(jí)的開�(guān)速度,可有效降低電磁干擾并減少死區(qū)�(shí)間�
3. 小型化設(shè)�(jì):采用無引腳封裝技�(shù),適合緊湊型 PCB �(shè)�(jì)需��
4. 熱性能�(yōu)異:較低� RDS(on) 可減少運(yùn)行過程中的熱量累�,提升系�(tǒng)可靠��
5. 安全保護(hù)�(jī)制:�(nèi)置過溫保�(hù)和短路保�(hù)功能,增�(qiáng)了系�(tǒng)的穩(wěn)定��
UT3N06L-AE3-R 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS) 和適配器�
2. 電動(dòng)汽車(EV) 和混合動(dòng)力汽�(HEV) 的車載充電器�
3. 太陽能逆變器和其他綠色能源�(shè)��
4. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器供電單元�
5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和高� DC-DC �(zhuǎn)換器�
6. 快速充電器和無線充電解決方��
UT3N06L-E3-R, EPC2016C