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US1MWG_R1_00001 發(fā)布時間 時間�2025/5/20 13:55:41 查看 閱讀�18

US1MWG_R1_00001 是一款高性能� MOSFET 功率開關(guān)器件,適用于需要高效率、低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性的�(yīng)�。該芯片采用了先進的制造工�,能夠提供卓越的電氣性能和可靠性。其�(shè)計旨在滿足工�(yè)、汽車和消費電子�(lǐng)�?qū)β使芾砣找嬖鲩L的需��
  這款器件具有出色的熱性能和耐壓能力,能夠在寬廣的工作條件下保持�(wěn)定運�。同�,它還具備優(yōu)異的抗電磁干擾能�,確保在�(fù)雜電磁環(huán)境下依然能夠正常工作�

參數(shù)

型號:US1MWG_R1_00001
  類型:MOSFET
  封裝:TO-263
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�40A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ
  功�(PD)�180W
  工作溫度范圍(Ta)�-55� � +175�
  �(jié)�(Tj)�-55� � +175�

特�

US1MWG_R1_00001 提供了多種關(guān)鍵特�,使其成為眾多應(yīng)用的理想選擇�
  1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,支持高頻工作環(huán)�,減少磁性元件體��
  3. 耐熱增強型封裝,有助于改善散熱性能�
  4. �(nèi)置靜電防�(ESD),提高了器件在實際應(yīng)用中的魯棒性�
  5. 寬泛的工作電壓范�,適合不同類型的負載需��
  6. 高電流承載能�,可以承受瞬�(tài)浪涌電流沖擊�
  7. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且易于通過認證測試�

�(yīng)�

US1MWG_R1_00001 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機�(qū)動和控制電路�
  3. 汽車電子系統(tǒng)的功率管理模塊�
  4. 工業(yè)�(shè)備中的逆變器和變頻��
  5. LED 照明�(qū)動電路�
  6. 電池保護和充電管理系�(tǒng)�
  7. 通信�(shè)備中的電源模塊�

替代型號

IRFZ44N
  FDP5500
  STP55NF06L

us1mwg_r1_00001推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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