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URB2405YMD-10WR3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 16:32:04 查看 閱讀�33

URB2405YMD-10WR3 是一款高性能的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能。其�(shè)�(jì)能夠滿足高效率和高可靠性要求的電力電子�(yīng)用需��
  該型號屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,適合用作高頻開�(guān)元件,在電源管理和功率轉(zhuǎn)換場景中表現(xiàn)出色�

參數(shù)

最大漏源電壓:450V
  連續(xù)漏極電流�7.5A
  �(dǎo)通電阻:0.5Ω
  柵極電荷�65nC
  開關(guān)�(shí)間:ton=85ns, toff=45ns
  �(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

URB2405YMD-10WR3 的主要特性包括:
  1. 高耐壓能力:額定漏源電壓高�(dá)450V,適用于高壓工作�(huán)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:在典型工作條件下,導(dǎo)通電阻僅�0.5Ω,有助于降低功耗并提高效率�
  3. 快速開�(guān)性能:具備較低的柵極電荷和快速的開關(guān)�(shí)�,從而減少開�(guān)損��
  4. 良好的熱�(wěn)定性:能夠承受較高的結(jié)�,確保在惡劣�(huán)境下依然保持�(wěn)定運(yùn)行�
  5. 小型封裝�(shè)�(jì):采用DPAK封裝形式,節(jié)省電路板空間同時(shí)提供�(yōu)秀的散熱能��
  6. 高可靠性:通過了多�(xiàng)�(zhì)量測�,確保長期使用的可靠性�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)動與控制
  4. 電池保護(hù)及管理系�(tǒng)
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模�
  6. 家用電器和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理單�

替代型號

IRF540N
  STP16NF06L
  FDP5570
  AO3400

urb2405ymd-10wr3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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  • 詢價(jià)