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URAM2MN1 發(fā)布時間 時間�2025/3/26 16:41:18 查看 閱讀�36

URAM2MN1 是一款高性能的靜�(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)芯片,廣泛�(yīng)用于需要高速數(shù)�(jù)讀寫和低功耗的場景。該芯片具有高可靠�、快速訪問時間和�(wěn)定的性能表現(xiàn)。其�(shè)計適用于工業(yè)控制、通信�(shè)備、網(wǎng)�(luò)路由器以及嵌入式系統(tǒng)等對實時性和�(wěn)定性要求較高的�(yīng)用領(lǐng)��
  URAM2MN1 的封裝形式通常� BGA � TQFP,具體取決于制造商和型號變�。該芯片具備多級電源管理功能,能夠在不同的工作模式下�(yōu)化功耗�

參數(shù)

容量�2M x 8 bits
  工作電壓�1.7V - 3.6V
  訪問時間�5ns / 10ns
  接口類型:同� SRAM
  封裝形式:BGA-144 / TQFP-100
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  �(shù)�(jù)保持時間:無�
  輸入輸出配置:三�(tài)輸出
  功耗:待機(jī) < 1μW

特�

1. 高速訪問時間:支持高達(dá) 5ns 的快速訪�,適用于實時性要求高的系�(tǒng)�
  2. 多種供電模式:內(nèi)置多種功耗管理模�,可動態(tài)�(diào)整以適應(yīng)不同使用場景�
  3. 寬工作電壓范圍:兼容 1.7V � 3.6V 的工作電�,增�(qiáng)了靈活性�
  4. �(shù)�(jù)完整性保�(hù):采用先�(jìn)的工藝技�(shù),確保在極端�(huán)境下�(shù)�(jù)的可靠��
  5. 低功耗設(shè)計:待機(jī)功耗小� 1μW,適合電池供電設(shè)備�
  6. �(wěn)定的工作溫度范圍:支持工�(yè)級溫度范圍(-40°C � +85°C�,可在惡劣環(huán)境中�(wěn)定運��
  7. 易用性強(qiáng):提供簡單易用的接口,便于與各種處理器或控制器集��

�(yīng)�

1. 工業(yè)自動化控制:用于工業(yè) PLC � HMI �(shè)備中的緩存和臨時�(shù)�(jù)存儲�
  2. 通信�(shè)備:在網(wǎng)�(luò)交換�(jī)、路由器以及其他通信�(shè)備中作為高速緩��
  3. 嵌入式系�(tǒng):為嵌入式微控制器提供額外的高速存儲空��
  4. �(yī)療設(shè)備:如監(jiān)�(hù)儀和超聲波�(shè)備中,用于圖像處理和�(shù)�(jù)暫存�
  5. 汽車電子:在汽車信息娛樂系統(tǒng)� ADAS 中充�(dāng)�(guān)鍵任�(wù)的緩存模塊�
  6. 測試測量儀器:例如示波器和信號分析儀�,用于捕捉和存儲瞬時信號�(shù)�(jù)�

替代型號

IS61LV25616ALL, AS6C256N-55BCN, CY7C1041DV33

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